产品 选择 手册
参数 ws57c256f-55 ws57c256f-70
地址 进入 时间 (最大值) 55 ns 70 ns
输出 使能 时间 (最大值) 25 ns 30 ns
WS57C256F
V
CC
一个
14
一个
13
一个
8
一个
9
一个
11
OE
一个
10
ce/pgm
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
V
PP
一个
12
一个
7
一个
6
一个
5
一个
4
一个
3
一个
2
一个
1
一个
0
O
0
O
1
O
2
地
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
一个
8
一个
9
一个
11
NC
OE
一个
10
ce/pgm
O
7
O
6
一个
6
一个
5
一个
4
一个
3
一个
2
一个
1
一个
0
NC
O
0
一个
7
一个
12
V
PP
NC
V
CC
一个
14
一个
13
O
1
O
2
NC
O
3
O
4
O
5
1
432
32 31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14 15 16
17
18
19
20
地
顶 视图
碎片 运输车 CERDIP
管脚 配置
4-17
军队 高 速 32k
x
8 cmos 非易失存储器
关键 特性
•
快 进入 时间
•
epi 处理
— 55 ns
— 获得-向上 免除 向上 至 200 毫安
•
低 电源 消耗量
•
标准 非易失存储器 引脚
•
desc smd 非. 5962-86063
一般 描述
这 ws57c256f 是 一个 高 效能 256k uv 可擦掉的 用电气 可编程序的 读 仅有的 记忆. 它 是
制造的 使用 一个 先进的 cmos 处理 技术 enabling 它 至 运作 在 speeds 作 快 作 55 ns
进入 时间.
二 主要的 特性 的 这 ws57c256f 是 它的 低 电源 和 高 速. 当 运行 在 一个 ttl 环境 它
消费 较少 比 120 毫安 当 cycling 在 全部 速. additionally, 这 ws57c256f 能 是 放置 在 一个 备用物品
模式 这个 drops 运行 电流 在下 5 毫安 在 一个 ttl 环境 和 500 µa 在 一个 cmos 环境.
这 ws57c256f 也 有 exceptional 输出 驱动 能力. 它 能 源 4 毫安 和 下沉 16 毫安 每 输出.
这 ws57c256f 是 配置 在 这 标准 非易失存储器 引脚 这个 提供 一个 容易 upgrade path 为 系统
这个 是 目前 使用 标准 eproms.
管脚
ce/
OE 一个
9
一个
0
V
PP
V
CC
输出
模式
PGM
读 V
IL
V
IL
XXV
CC
V
CC
D
输出
输出
使不能运转
XV
IH
XXV
CC
V
CC
高 z
备用物品 V
IH
XXXV
CC
V
CC
高 z
程序 V
IL
V
IH
XXV
PP
2
V
CC
D
在
程序
核实
XV
IL
XXV
PP
2
V
CC
D
输出
程序
Inhibit
V
IH
V
IH
XXV
PP
2
V
CC
高 z
Signature
3
V
IL
V
IL
V
H
2
V
IL
V
CC
V
CC
23 h
4
V
IL
V
IL
V
H
2
V
IH
V
CC
V
CC
eo h
5
模式 选择
注释:
1. x 能 是 v
IL
或者 v
IH
. 4. 生产者 signature.
2. V
IH
= v
PP
= 12.75 ± 0.25 v. 5. 设备 signature.
3. a1 – a8, a10 – a14 = v
IL
.
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