2n5545/46/47/jantx/jantxv
vishay siliconix
文档 号码: 70253
s-04031—rev. c, 04-六月-01
www.vishay.com
8-1
大而单一的 n-频道 jfet duals
部分 号码 V
gs(止)
(v) V
(br)gss
最小值 (v) g
fs
最小值 (ms) I
G
最大值 (pa)
V
GS1
– v
GS2
最大值 (mv)
2N5545 –0.5 至 –4.5 –50 1.5 –50 5
2N5546 –0.5 至 –4.5 –50 1.5 –50 10
2N5547 –0.5 至 –4.5 –50 1.5 –50 15
大而单一的 设计
高 回转 比率
低 补偿/逐渐变化 电压
低 门 泄漏: 3 pa
低 噪音
高 cmrr: 100 db
tight 差别的 相一致 vs. 电流
改进 运算 放大 速, 安排好 时间
精度
最小 输入 错误/修整 必要条件
微不足道的 信号 丧失/错误 电压
高 系统 敏锐的
最小 错误 和 大 输入 信号
wideband 差别的 放大器
高-速, 温度-补偿,
单独的-结束 输入 放大器
高-速 comparators
阻抗 转换器
这 2n5545/5546/5547jantx/jantxv 是 大而单一的 双
n-频道 jfets 设计 至 提供 高 输入 阻抗
(i
G
< 50 pa) 为 一般-目的 差别的 放大器. 这
2N5545特性 最小 系统 错误 和 校准 (5 mv
补偿 最大).
至-71
顶 视图
G
1
S
1
D
1
G
2
D
2
S
2
1
2
3
6
5
4
门-流, 门-源 电压 –50 v. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
门 电流 30 毫安. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
含铅的 温度 (
1
/
16
” 从 情况 为 10 秒.) 300
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
存储 温度 –65 至 200
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
运行 接合面 温度 –55 至 150
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
电源 消耗 : 每 一侧
一个
250 mw. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
总的
b
500 mw. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
注释
一个. 减额 2 mw/
c 在之上 25
C
b. 减额 4 mw/
c 在之上 25
C
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