1
Item 标识 比率 单位
流-源 电压 V
DS
500
持续的 流 电流 I
D
±8
搏动 流 电流 I
d(puls]
±32
门-源 电压 V
GS
±30
repetitive 或者 非-repetitive I
ar *2
8
最大 avalanche 活力 E
作 *1
173
最大 流-源 dv/dt dV
DS
/dt
*4
20
顶峰 二极管 恢复 dv/dt dv/dt
*3
5
最大值 电源 消耗 P
D
Ta=25
°C
2.02
Tc=25
°C
65
运行 和 存储 T
ch
+150
温度 范围 T
stg
电的 特性 (t
c
=25°c 除非 否则 指定)
Thermalcharacteristics
2sk3519-01
fuji 电源 场效应晶体管
n-频道 硅 电源 场效应晶体管
特性
高 速 切换
低 在-阻抗
非 secondary breadown
低 驱动 电源
avalanche-proof
产品
切换 regulators
ups (uninterruptible 电源 供应)
直流-直流 转换器
最大 比率 和 典型的
绝对 最大 比率
(tc=25°c 除非 否则 指定)
Item 标识 测试 情况
零 门 电压 流 电流 i
DSS
V
DS
=500v v
GS
=0V
V
DS
=400v v
GS
=0V
V
GS
=±30V
I
D
=4a v
GS
=10V
I
D
=4a v
DS
=25V
V
CC
=300v i
D
=4A
V
GS
=10V
R
GS
=10
Ω
最小值 典型值 最大值 单位
V
V
µA
nA
Ω
S
pF
nC
一个
V
µs
µC
ns
最小值 典型值 最大值 单位
热的 阻抗
R
th(ch-c)
频道 至 情况
R
th(ch-一个)
频道 至 包围的
1.92
62.0
°c/w
°c/w
标识
V
(br)dss
V
gs(th)
I
GSS
R
ds(在)
g
fs
C
iss
C
oss
C
rss
td
(在)
t
r
td
(止)
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
I
AV
V
SD
t
rr
Q
rr
Item
流-源 损坏 voltaget
门 门槛 电压
门-源 泄漏 电流
流-源 在-状态 阻抗
向前 transcondutance
输入 电容
输出 电容
反转 转移 电容
转变-在 时间 t
在
转变-止 时间 t
止
总的 门 承担
门-源 承担
门-流 承担
avalanche 能力
二极管 向前 在-电压
反转 恢复 时间
反转 恢复 承担
测试 情况
I
D
= 250
µ
一个 v
GS
=0V
I
D
= 250
µ
一个 v
DS
=V
GS
T
ch
=25°C
T
ch
=125°C
V
DS
=0V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
=250V
I
D
=8A
V
GS
=10V
l=4.98mh t
ch
=25°C
I
F
=8a v
GS
=0v t
ch
=25°C
I
F
=8a v
GS
=0V
-di/dt=100a/µs
T
ch
=25°C
V
一个
一个
V
一个
mJ
kv/µs
kv/µs
W
°C
°C
500
3.0 5.0
25
250
10 100
0.65 0.85
3.5 7
750 1130
100 150
4.0 6.0
14 21
914
24 36
69
20 30
8.5 13
5.5 8.5
8
1.00 1.50
0.65
3.5
-55 至 +150
外形 绘画
至-220ab
相等的 电路 图式
门(g)
源(s)
流(d)
超级的 fap-g 序列
*3 i
F
-i
D
, -di/dt=50a/µs, vcc bv
DSS
, tch 150°c
=
<
=
<
=
<
*1 l=4.98mh, vcc=50v *2 tch 150°c
=
<
*4 vds 500v
<
=
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