这个 数据 薄板 将 是 修订 用 subsequent 版本©2003 eon 硅 解决方案, inc., www.essi.com.tw
或者 修改 预定的 至 改变 在 技术的 规格.
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EN29LV512
rev. b, 公布 日期: 2004/01/05
da0.
特性
•
单独的 电源 供应 运作
- 全部 电压 范围: 2.7-3.6 volt 读 和 写
行动 为 电池-powered 产品.
- 管制 电压 范围: 3.0-3.6 volt 读
和 写 行动 为 高 效能
3.3 volt 微处理器.
•
高 效能
- 全部 电压 范围: 进入 时间 作 快 作 55
ns
- 管制 电压 范围: 进入 时间 作 快
作 45ns
•
低 电源 消耗量 (典型 值 在 5
mhz)
- 7 毫安 典型 起作用的 读 电流
- 15 毫安 典型 程序/擦掉 电流
- 1
µ
一个 典型 备用物品 电流 (标准 进入
时间 至 起作用的 模式)
•
有伸缩性的 sector architecture:
- 四 16 kbyte sectors
- 支持 全部 碎片 擦掉
- 单独的 sector 擦掉 supported
- sector 保护 和 unprotection:
硬件 locking 的 sectors 至 阻止
程序 或者 擦掉 行动 在里面 单独的
sectors
•
高 效能 程序/擦掉 速
- 字节 程序 时间: 8µs 典型
- sector 擦掉 时间: 500ms 典型
•
电子元件工业联合会 标准 程序 和 擦掉
commands
•
电子元件工业联合会 标准
数据
polling 和 toggle 位
特性
•
单独的 sector 和 碎片 擦掉
•
embedded 擦掉 和 程序 algorithms
•
擦掉 suspend / 重新开始 模式:
读 或者 程序 另一 sector 在
擦掉 suspend 模式
•
triple-metal 翻倍-poly triple-好 cmos flash
技术
•
低 vcc 写 inhibit < 2.5v
•
>100k 程序/擦掉 忍耐力 循环
•
包装 选项 -
- 8mm x 20mm 32-管脚 tsop (类型 1)
- 8mm x 14mm 32-管脚 tsop (类型 1)
- 32-管脚 plcc
•
商业的 和 industrial 温度 范围
一般 描述
这 en29lv512 是 一个 512-kbit, 用电气 可擦掉的, 读/写 非-易变的 flash memory, 有组织的
作 65,536 字节. 任何 字节 能 是 编写程序 典型地 在 8µs. 这 en29lv512 特性 3.0v
电压 读 和 写 运作, 和 进入 时间 作 快 作 45ns 至 eliminate 这 需要 为 wait
states 在 高-效能 微处理器 系统.
这 en29lv512 有 独立的 输出 使能 (
OE
), 碎片 使能 (
CE
), 和 写 使能 (我们)
控制, 这个 eliminate 总线 contention issues. 这个 设备 是 设计 至 准许 也 单独的
sector 或者 全部 碎片 擦掉 运作, 在哪里 各自 sector 能 是 individually 保护 相反
程序/擦掉 行动 或者 temporarily unprotected 至 擦掉 或者 program. 这 设备能 支持 一个
最小 的 100k 程序/擦掉 循环 在 各自 sector.
EN29LV512
512 kbit (64k x 8-位 ) uniform sector,
cmos 3.0 volt-仅有的 flash 记忆