半导体 组件 industries, llc, 2000
march, 2000 – rev. 3
1
发行 顺序 号码:
mc14175b/d
MC14175B
四方形 类型 D flip-flop
这 mc14175b 四方形 类型 d flip–flop 是 构成 和 mos
p–channel 和 n–channel 增强 模式 设备 在 一个 单独的
大而单一的 结构. 各自 的 这 四 flip–flops 是 positive–edge
triggered 用 一个 一般 时钟 输入 (c). 一个 active–low 重置 输入 (r)
asynchronously resets 所有 flip–flops. 各自 flip–flop 有 独立
数据 (d) 输入 和 complementary 输出 (q 和 q). 这些 设备
将 是 使用 作 变换 寄存器 elements 或者 作 类型 t flip–flops 为
计数器 和 toggle 产品.
•
complementary 输出
•
静态的 运作
•
所有 输入 和 输出 缓冲
•
二极管 保护 在 所有 输入
•
供应 电压 范围 = 3.0 vdc 至 18 vdc
•
输出 兼容 和 二 low–power ttl 负载 或者 一个
low–power 肖特基 ttl 加载
•
函数的 相等的 至 ttl 74175
最大 比率
(电压 关联 至 v
SS
) (便条 2.)
标识
参数 值 单位
V
DD
直流 供应 电压 范围 – 0.5 至 +18.0 V
V
在
, v
输出
输入 或者 输出 电压 范围
(直流 或者 瞬时)
– 0.5 至 v
DD
+ 0.5 V
I
在
, i
输出
输入 或者 输出 电流
(直流 或者 瞬时) 每 管脚
±
10 毫安
P
D
电源 消耗,
每 包装 (便条 3.)
500 mW
T
一个
包围的 温度 范围 – 55 至 +125
°
C
T
stg
存储 温度 范围 – 65 至 +150
°
C
T
L
含铅的 温度
(8–second 焊接)
260
°
C
2. 最大 比率 是 那些 值 在之外 这个 损坏 至 这 设备
将 出现.
3. 温度 减额:
塑料 “p 和 d/dw” 包装: – 7.0 mw/
_
c 从 65
_
c 至 125
_
C
这个 设备 包含 保护 电路系统 至 守卫 相反 损坏 预定的 至 高
静态的 电压 或者 electric 地方. 不管怎样, 预防措施 必须 是 带去 至 避免
产品 的 任何 电压 高等级的 比 最大 评估 电压 至 这个
high–impedance 电路. 为 恰当的 运作, v
在
和 v
输出
应当 是 constrained
至 这 范围 v
SS
v
(v
在
或者 v
输出
)
v
V
DD
.
unused 输入 必须 总是 是 系 至 一个 适合的 逻辑 电压 水平的 (e.g.,
也 v
SS
或者 v
DD
). unused 输出 必须 是 left 打开.
http://onsemi.com
一个 = 组装 location
wl 或者 l = 薄脆饼 lot
yy 或者 y = 年
ww 或者 w = 工作 week
设备 包装 Shipping
订货 信息
MC14175BCP PDIP–16 2000/盒
MC14175BD SOIC–16 48/栏杆
MC14175BDR2 SOIC–16 2500/录音带 &放大; 卷轴
1. 为 订货 信息 在 这 eiaj 版本 的
这 soic 包装, 请 联系 your local
在 半导体 代表.
标记
图解
1
16
PDIP–16
p 后缀
情况 648
MC14175BCP
AWLYYWW
SOIC–16
d 后缀
情况 751b
1
16
14175B
AWLYWW
SOEIAJ–16
f 后缀
情况 966
1
16
MC14175B
AWLYWW
MC14175BF SOEIAJ–16 看 便条 1.
MC14175BFEL SOEIAJ–16 看 便条 1.
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