特性
TrenchFET
电源 mosfets: 2.5-v 评估
低 3.5-m
r
ds(在)
pwm (q
gd
和 r
G
) 优化
产品
低-一侧 场效应晶体管 在 同步的 buck
直流/直流 转换器 在 servers 和 routers
Si4864DY
vishay siliconix
新 产品
文档 号码:71449
s-03662—rev. b, 14-apr-03
www.vishay.com
1
n-频道 20-v (d-s) 场效应晶体管
产品 summary
V
DS
(v)
r
ds(在)
(
)
I
D
(一个)
20
0.0035 @ v
GS
= 4.5 v 25
20
0.0047 @ v
GS
= 2.5 v 20
所以-8
SD
SD
SD
GD
5
6
7
8
顶 视图
2
3
4
1
D
G
S
n-频道 场效应晶体管
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 10 secs 稳步的 状态 单位
流-源 电压 V
DS
20
V
门-源 电压 V
GS
8
V
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个
T
一个
= 25
C
I
D
25 17
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个
T
一个
= 70
C
I
D
20 13
一个
搏动 流 电流 (10
s 脉冲波 宽度)
I
DM
60
一个
持续的 源 电流 (二极管 传导)
一个
I
S
2.9 1.3
最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 25
C
P
D
3.5 1.6
W最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 70
C
P
D
2.2 1
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
-55 至 150
C
热的 阻抗 比率
参数 标识 典型 最大 单位
最大 接合面 至 包围的
一个
t
10 秒
R
29 35
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的 状态
R
thJA
67 80
c/w
最大 接合面-至-foot (流) 稳步的 状态 R
thJF
13 16
注释
一个. 表面 挂载 在 1” x 1” fr4 板.
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