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motorola small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
双 切换 二极管
最大 比率 (各自 二极管)
比率 标识 值 单位
反转 电压 V
R
100 Vdc
向前 电流 I
F
200 mAdc
顶峰 向前 surge 电流 I
fm(surge)
500 mAdc
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
总的 设备 消耗 fr– 5 板
(1)
T
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
225
1.8
mW
mw/
°
C
热的 阻抗, 接合面 至 包围的
R
q
JA
556
°
c/w
总的 设备 消耗
alumina 基质,
(2)
T
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
300
2.4
mW
mw/
°
C
热的 阻抗, 接合面 至 包围的
R
q
JA
417
°
c/w
接合面 和 存储 温度 T
J
, t
stg
– 55 至 +150
°
C
设备 标记
mmbd7000lt1 = m5c
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
(各自 二极管)
典型的 标识 最小值 最大值 单位
止 特性
反转 损坏 电压 (i
(br)
= 100
µ
模数转换器) V
(br)
100 — Vdc
反转 电压 泄漏 电流
(v
R
= 50 vdc)
(v
R
= 100 vdc)
(v
R
= 50 vdc, 125
°
c)
I
R
I
R2
I
R3
—
—
—
1.0
3.0
100
µ
模数转换器
向前 电压
(i
F
= 1.0 madc)
(i
F
= 10 madc)
(i
F
= 100 madc)
V
F
0.55
0.67
0.75
0.7
0.82
1.1
Vdc
反转 恢复 时间
(i
F
= i
R
= 10 madc) (图示 1)
t
rr
— 4.0 ns
电容 (v
R
= 0 v) C — 1.5 pF
1. FR– 5 = 1.0
0.75
0.062 在.
2. alumina = 0.4
0.3
0.024 在. 99.5% alumina.
热的 clad 是 一个 商标 的 这 bergquist 公司
Preferred
设备 是 motorola 推荐 choices 为 future 使用 和 最好的 整体的 值.
顺序 这个 文档
用 mmbd7000lt1/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
MMBD7000LT1
1
2
3
情况 318 – 08, 样式 11
SOT– 23 (至 – 236ab)
motorola preferred 设备
motorola, 公司 1997
1
ANODE
3
cathode/anode
2
CATHODE
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