2sb1184 / 2sb1243
晶体管
1/3
电源 晶体管(
−
60v,
−
3a)
2sb1184 / 2sb1243
!
!!
!
特性
1) 低 v
ce(sat)
.
V
ce(sat)
= -0.5v (典型值.)
(i
C
/i
B
= -2a / -0.2a)
2) complements 这 2sd1760 / 2sd1864.
!
!!
!
结构
外延的 planar 类型
pnp 硅 晶体管
!
!!
!
外部 维度
(单位 : mm)
2SB1184 2SB1243
(1) 根基
(2) 集电级
(3) 发射级
rohm : cpt3
eiaj : sc-63
(1) 发射级
(2) 集电级
(3) 根基
rohm :
ATV
−
0.1
+
0.2
−
0.1
+
0.2
+
0.3
−
0.1
2.3
±
0.22.3
±
0.2
0.65
±
0.1
0.9
0.75
1.0
±
0.2
0.55
±
0.1
9.5
±
0.5
5.5
1.5
±
0.3
2.5
1.5
2.3
0.5
±
0.1
6.5
±
0.2
5.1
c0.5
(3)
(2)
(1)
0.9
1.0
6.8
±
0.2
2.5
±
0.2
1.05
0.45
±
0.1
2.54
2.54
0.5
±
0.1
0.9
4.4
±
0.2
14.5
±
0.5
(1)
(2)
(3)
0.65max.
!
!!
!
绝对 最大 比率
(ta=25
°
c)
参数
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
Tj
Tstg
−
60 V
V
V
一个 (直流)
°
C
°
C
−
50
−
5
−
3
I
CP
一个 (脉冲波)
−
4.5
∗
1
1
15
1
2SB1184
2SB1243
W
w (t
C
=
25
°
c)
W
∗
2
150
−
55~
+
150
标识 限制 单位
∗
1 单独的 脉冲波, pw
=
100ms
∗
2 打印 电路 板, 1.7mm 厚, 集电级 铜 镀层 100mm
2
或者 大.
集电级-根基 电压
集电级-发射级 电压
发射级-根基 电压
集电级 电流
集电级 电源
消耗
接合面 温度
存储 温度
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