2sk2764-01r
n-频道 mos-场效应晶体管
fap-iis 序列
800V
4Ω
4A80W
>特性> 外形 绘画
-高 速 切换
-低 在-阻抗
-非 secondary 损坏
-低 驱动 电源
-高 电压
-V
GS
= ± 30v 保证
-repetitive avalanche 评估
>产品
-切换 regulators
-UPS
-直流-直流 转换器
-一般 目的 电源 放大器
>最大 比率 和 特性> 相等的 电路
-绝对 最大 比率 (t
C
=25°c),
除非 否则 指定
Item标识比率单位
流-源-电压V
DS
800V
continous 流 电流I
D
4一个
搏动 流 电流I
d(puls)
16一个
门-源-电压V
GS
±30V
repetitive 或者 非-repetitive (t
ch
≤
150°c)
I
AR
4一个
avalanche 活力E
作
254mJ
最大值 电源 消耗P
D
80W
运行 和 存储 温度 范围T
ch
150°C
T
stg
-55 ~ +150°C
-
电的 特性 (t
C
=25°c),
除非 否则 指定
Item标识测试 情况最小值典型值最大值单位
流-源 损坏-电压V
(br)dss
I
D
=1mAV
GS
=0V
800V
门 threshhold 电压V
gs(th)
I
D
=1m一个V
DS=
V
GS
3,54,04,5V
零 门 电压 流 电流I
DSS
V
DS
=800VT
ch
=25°C
10500µA
V
GS
=0VT
ch
=125°C
0,21,0毫安
门 源 泄漏 电流I
GSS
V
GS
=±30VV
DS
=0V
10100nA
流 源 在-状态 阻抗R
ds(在)
I
D
=2AV
GS
=10V
3,194,0
Ω
向前 跨导g
fs
I
D
=2AV
DS
=25V
2S
输入 电容C
iss
V
DS
=25V
450pF
输出 电容C
oss
V
GS
=0V
75pF
反转 转移 电容C
rss
f=1MHz40pF
转变-在-时间 t
在
(t
在
=t
d(在)
+t
r
)
t
d(在)
V
CC
=600V
20ns
t
r
I
D
=4A
40ns
转变-止-时间 t
止
(t
在
=t
d(止)
+t
f
)
t
d(止)
V
GS
=10V
50ns
t
f
R
GS
=10
Ω
25ns
avalanche 能力I
AV
l = 100µh
T
ch
=25°C
4一个
二极管 向前 在-电压V
SD
I
F
=2xI
DR
V
GS
=0v t
ch
=25°C
1,0V
反转 恢复 时间t
rr
I
F
=I
DR
V
GS
=0V
450ns
反转 恢复 承担Q
rr
-di
F
/dt=100a/µsT
ch
=25°C
3µC
-热的 特性
Item标识测试 情况最小值典型值最大值单位
热的 阻抗R
th(ch-一个)
频道 至 空气30°c/w
R
th(ch-c)
频道 至 情况1,56°c/w
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