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资料编号:96239
 
资料名称:2SK3271-01
 
文件大小: 256.78K
   
说明
 
介绍:
N-channel MOS-FET
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号2SK3271-01的Datasheet PDF文件第2页
2
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2sk3271-01
n-频道 mos-场效应晶体管
trench 门 场效应晶体管
60V
6,5m
±100A 155W
> 特性 > 外形 绘画
- 高 电流
- 低 在-阻抗
- 非 secondary 损坏
- 低 驱动 电源
- avalanche 评估
> 产品
-
- 一般 目的 电源 放大器
-
直流-直流 转换器
> 最大 比率 和 特性 > 相等的 电路
- 绝对 最大 比率 (t
C
=25°c),
除非 否则 指定
Item 标识 比率 单位
流-源-电压 V
DS
60 V
continous 流 电流 I
D
±100 一个
搏动 流 电流 I
d(puls)
±400 一个
门-源-电压V
GS
+30/-20V
最大 avalanche 活力 E
AV
490.4 mJ*
最大值 电源 消耗 P
D
155 W
运行 和 存储 温度 范围 T
ch
150 °C
T
stg
-55 ~ +150 °C
* l=0,65.4uh, v
CC
=24V
-
电的 特性 (t
C
=25°c),
除非 否则 指定
Item 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
流-源 损坏-电压 BV
DSS
I
D
=1mA V
GS
=0V
60 V
门 threshhold 电压 V
gs(th)
I
D
=10mA V
DS=
V
GS
2,5 3,0 3,5 V
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
=60V T
ch
=25°C
1,0 100,0 µA
V
GS
=0V T
ch
=125°C
10,0 500,0 µA
门 源 泄漏 电流 I
GSS
V
GS
=±30V V
DS
=0V
10 100 nA
流 源 在-状态 阻抗 R
ds(在)
I
D
=40A V
GS
=40V
5,0 6,5
m
向前 跨导 g
fs
I
D
=40A V
DS
=10V
25 50 S
输入 电容 C
iss
V
DS
=25V
9000 pF
输出 电容 C
oss
V
GS
=0V
1250 pF
反转 转移 电容 C
rss
f=1MHz 700 pF
转变-在-时间 t
(t
=t
d(在)
+t
r
)
t
d(在)
V
CC
=30V
50 ns
t
r
VGS=10V 200 ns
转变-止-时间 t
(t
=t
d(止)
+t
f
)
t
d(止)
ID=80A 150 ns
t
f
R
GS
=10
135 ns
avalanche 能力 I
AV
l = 100µh
T
ch
=25°C
100 一个
二极管 向前 在-电压 V
SD
I
F
=80a v
GS
=0v t
ch
=25°C
1,0 1,5 V
反转 恢复 时间 t
rr
I
F
=50a v
GS
=0V
85 ns
反转 恢复 承担 Q
rr
-di
F
/dt=100a/µs t
ch
=25°C
0,25 µC
- 热的 特性
Item 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
热的 阻抗 R
th(ch-一个)
频道 至 包围的 35,0 °c/W
R
th(ch-c)
频道 至 情况 0,806 °c/W
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