AT28HC64B
64k (8k x 8)
高 速
CMOS
E
2
prom 和
页 写 和
软件 数据
保护
特性
•
快 读 进入 时间 - 55 ns
•
自动 页 写 运作
内部的 地址 和 数据 latches 为 64-字节
•
快 写 循环 时间
页 写 循环 时间: 10 ms 最大
1 至 64-字节 页 写 运作
•
低 电源 消耗
40 毫安 起作用的 电流
100
µ
一个 cmos 备用物品 电流
•
硬件 和 软件 数据 保护
•
数据 polling 和 toggle 位 为 终止 的 写 发现
•
高 可靠性 cmos 技术
忍耐力: 100,000 循环
数据 保持: 10 年
•
单独的 5v
±
10% 供应
•
cmos 和 ttl 兼容 输入 和 输出
•
电子元件工业联合会 批准 字节-宽 引脚
•
商业的 和 工业的 温度 范围
便条: plcc 包装 管脚 1 和
17 是 don’t 连接.
pdip, soic
顶 视图
PLCC
顶 视图
管脚 名字 函数
a0 - a12 地址
CE 碎片 使能
OE 输出 使能
我们 写 使能
i/o0 - i/o7 数据 输入/输出
NC 非 连接
直流 don’t 连接
管脚 配置
TSOP
顶 视图
描述
这 at28hc64b 是 一个 高-效能 用电气 可擦掉的 和 可编程序的 读
仅有的 记忆 (可擦可编程只读存储器). 它的 64k 的 记忆 是 有组织的 作 8,192 words 用 8 位.
制造的 和 atmel’s 先进的 nonvolatile cmos 技术, 这 设备 提供
进入 时间 至 55 ns 和 电源 消耗 的 just 220 mw. 当 这 设备 是
deselected, 这 cmos 备用物品 电流 是 较少 比 100
µ
一个.
这 at28hc64b 是 accessed 像 一个 静态的 内存 为 这 读 或者 写 循环 没有 这
需要 为 外部 组件. 这 设备 包含 一个 64-字节 页 寄存器 至 准许
(持续)
0274D
AT28HC64B
2-267
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