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资料编号:971233
 
资料名称:BC849B
 
文件大小: 78K
   
说明
 
介绍:
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR NPN SILICON
 
 


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zowie 技术 公司
一般 目的 晶体管
npn 硅
bc849b,c
1
2
1
2
3
3
sot-23
比率
标识
单位
典型的
集电级-发射级 电压 V
CEO
30 Vdc
集电级-根基 电压 V
CBO
30 Vdc
发射级-根基 电压 V
EBO
5.0 Vdc
集电级 电流-持续的 I
C
100 mAdc
典型的
标识
最大值
单位
总的 设备 消耗 fr-5 板
(1)
T
一个
=25
o
C
减额 在之上 25
o
C
P
D
225
1.8
mW
mw /
o
C
总的 设备 消耗 alumina 基质,
(2)
T
一个
=25
o
C
减额 在之上 25
o
C
P
D
300
2.4
mW
mw /
o
C
热的 阻抗 接合面 至 包围的 556
o
c / w
最大 比率
热的 特性
电的 特性
(t
一个
=25
o
c 除非 否则 指出)
止 特性
R
JA
热的 阻抗 接合面 至 包围的 417
o
c / wr
JA
接合面 和 存储 温度
集电级-发射级 breakdowe 电压
( i
C
=10 ua, v
EB
=0 )
集电级-根基 breakdowe 电压
( i
C
=10 ua )
集电级-发射级 breakdowe 电压
( i
C
=10ma )
发射级-根基 breakdowe 电压
( i
E
=1.0 ua )
标识
V
(br)ces
V
(br)ceo
V
(br)cbo
V
(br)ebo
I
CBO
最小值
30
30
30
5.0
-
-
最大值
-
-
-
-
15
5.0
典型值
-
-
-
-
-
-
单位
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
nAdc
uAdc
集电级 截止 电流
( v
CB
=30 v )
( v
CB
=30 v, t
一个
= 150
o
c )
-55 至 +150
o
CT
j,
T
STG
zowie 技术 corporationrev. : 0
发射级
根基
集电级
(1) fr-5=1.0
x
0.75
x
0.062in.
(2) alumina=0.4
x
0.3
x
0.024in. 99.5% alumina.
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