飞利浦 半导体 产品 规格
Thyristor bt169w 序列
逻辑 水平的
一般 描述 快 涉及 数据
Glass 钝化的, 敏感的 门
标识 参数 最大值 最大值 最大值 最大值 单位
thyristor 在 一个 塑料 封套, 合适的
为 表面 挂载, 将 为 使用
BT169 BW DW EW GW
在 一般 目的 切换 和 V
DRM
, repetitive 顶峰 200 400 500 600 V
阶段 控制 产品. 这个 V
RRM
止-状态 电压
设备 是 将 至 是 连接 I
t(av)
平均 在-状态 0.5 0.5 0.5 0.5 一个
直接地 至 微控制器, 逻辑 电流
整体的 电路 和 其它 低 I
t(rms)
rms 在-状态 电流 0.8 0.8 0.8 0.8 一个
电源 门 触发 电路. I
TSM
非-repetitive 顶峰 8888A
在-状态 电流
固定 - sot223 管脚 配置 标识
管脚 描述
1 cathode
2 anode
3 门
tab anode
限制的 值
限制的 值 在 一致 和 这 绝对 最大 系统 (iec 134).
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
BDEG
V
DRM
, v
RRM
repetitive 顶峰 止-状态 - 200
1
400
1
500
1
600
1
V
电压
I
t(av)
平均 在-状态 电流 half sine 波; - 0.63 一个
T
sp
≤
112 ˚c
I
t(rms)
rms 在-状态 电流 所有 传导 angles - 1 一个
I
TSM
非-repetitive 顶峰 half sine 波;
在-状态 电流 T
j
= 25 ˚c 较早的 至 surge
t = 10 ms - 8 一个
t = 8.3 ms - 9 一个
I
2
德州仪器
2
t 为 fusing t = 10 ms - 0.32 一个
2
s
dI
T
/dt repetitive 比率 的 上升 的 I
TM
= 2 一个; i
G
= 10 毫安; - 50 一个/
µ
s
在-状态 电流 之后 dI
G
/dt = 100 毫安/
µ
s
triggering
I
GM
顶峰 门 电流 - 1 一个
V
GM
顶峰 门 电压 - 5 V
V
RGM
顶峰 反转 门 电压 - 5 V
P
GM
顶峰 门 电源 - 2 W
P
g(av)
平均 门 电源 在 任何 20 ms 时期 - 0.1 W
T
stg
存储 温度 -40 150 ˚C
T
j
运行 接合面 - 125 ˚C
温度
ak
g
4
1
23
1
虽然 不 推荐, 止-状态 电压 向上 至 800v 将 是 应用 没有 损坏, 但是 这 thyristor 将
转变 至 这 在-状态. 这 比率 的 上升 的 电流 应当 不 超过 15 一个/
µ
s.
九月 1997 1 rev 1.200
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