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资料编号:981768
 
资料名称:FDS4435A
 
文件大小: 264K
   
说明
 
介绍:
P-Channel Logic Level PowerTrench⑩MOSFET
 
 


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p-频道 逻辑 水平的 powertrench
场效应晶体管
october 2001
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2001
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绝对 最大 比率
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 比率 单位
V
DSS
流-源 电压 -30 V
V
GSS
门-源 电压
±
20
V
I
D
流 电流 - 持续的
(便条 1a)
-9 一个
- 搏动 -50
P
D
电源 消耗 为 单独的 运作
(便条 1a)
2.5 W
(便条 1b)
1.2
(便条 1c)
1
T
J
, t
stg
运行 和 存储 接合面 温度 范围 -55 至 +150
°
C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的
(便条 1a)
50
°
c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况
(便条 1)
25
°
c/w
设备 标记 设备 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
FDS4435A FDS4435A
13
’’
12mm 2500 单位
S
D
S
S
所以-8
D
D
D
G
5
6
8
3
1
7
4
2
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