8月 2000
dsc-3211/08
1
©2000 整体的 设备 技术, 公司
部分 在
OBSOLESCENCE
顺序 71v016sa
为 新 设计
特性
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64k x 16 先进的 高-速 cmos 静态的 内存
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商业的 (0
°
至 +70
°
c) 和 工业的 (–40
°
c 至 +85
°
c)
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equal 进入 和 循环 时间
— 商业的 和 工业的: 15/20ns
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一个 碎片 选择 加 一个 输出 使能 管脚
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双向的 数据 输入 和 输出 直接地
lvttl-兼容
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低 电源 消耗量 通过 碎片 deselect
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upper 和 更小的 字节 使能 管脚
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单独的 3.3v (±0.3v) 电源 供应
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有 在 44-管脚 塑料 soj 和 44-管脚 tsop
包装.
描述
这 idt71v016 是 一个 1,048,576-位 高-速 静态的 内存
有组织的 作 64k x 16. 它 是 fabricated 使用 idt’s 高-perfomance,
高-可靠性 cmos 技术. 这个 状态-的-这-艺术 技术,
联合的 和 革新的 电路 设计 技巧, 提供 一个
费用-有效的 解决方案 为 高-速 记忆 needs.
这 idt71v016 有 一个 输出 使能 管脚 这个 运作 作 快
作 7ns, 和 地址 进入 时间 作 快 作 12ns. 所有 双向的
输入 和 输出 的 这 idt71v016 是 lvttl-兼容 和
运作 是 从 一个 单独的 3.3v 供应. 全部地 静态的 异步的 电路系统
是 使用, 需要 非 clocks 或者 refresh 为 运作.
这 idt71v016 是 packaged 在 一个 电子元件工业联合会 标准 44-管脚
塑料 soj 和 44-管脚 tsop 类型 ii.
函数的 块 图解
输出
使能
缓存区
地址
缓存区
碎片
使能
缓存区
写
使能
缓存区
字节
使能
缓存区
OE
一个
0
-一个
15
行 / Column
Decoders
CS
我们
BHE
BLE
64K x 16
记忆
排列
Sense
放大器
和
写
驱动器
16
低
字节
i/o
缓存区
8
8
8
8
i/o
8
i/o
15
i/o
7
i/o
0
3211 drw 01
高
字节
i/o
缓存区
3.3v cmos 静态的 内存
1 meg (64k x 16-位)
IDT71V016
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