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09/12/02
IRFR3418
IRFU3418
HEXFET
电源 场效应晶体管
注释
通过
是 在 页 10
d-pak
IRFR3418
i-pak
IRFU3418
高 频率 直流-直流 转换器
益处
产品
低 门-至-流 承担 至 减少
切换 losses
全部地 典型 电容 包含
有效的 c
OSS
至 使简化 设计, (看
app. 便条 an1001)
全部地 典型 avalanche 电压
和 电流
绝对 最大 比率
参数 单位
V
DS
流-至-源 电压 V
V
GS
门-至-源 电压
I
D
@ t
C
= 25°c
持续的 流 电流, v
GS
@ 10v
I
D
@ t
C
= 100°c
持续的 流 电流, v
GS
@ 10v
一个
I
DM
搏动 流 电流
c
P
D
@T
C
= 25°c
最大 电源 消耗 W
P
D
@T
一个
= 25°c
最大 电源 消耗
直线的 减额 因素 w/°c
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
e
v/ns
T
J
运行 接合面 和 °C
T
STG
存储 温度 范围
焊接 温度, 为 10 秒
热的 阻抗
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况 ––– 1.05
R
θ
JA
接合面-至-包围的 (pcb 挂载) * ––– 40 °c/w
R
θ
JA
接合面-至-包围的 ––– 110
300 (1.6mm 从 情况 )
最大值
70
h
50
280
80
± 20
140
0.95
5.2
3.8
-55 至 + 175
V
DSS
R
ds(在)
最大值 I
D
80V
14m
:
30A