HEXFET
®
电源 场效应晶体管
IRLZ34NS
pd - 9.1308a
V
DSS
= 55v
R
ds(在)
= 0.035
Ω
I
D
= 27a
S
D
G
11/11/96
初步的
参数 最小值 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况 –––– –––– 2.7
R
θ
JA
接合面-至-包围的 (pcb 挂载,稳步的-状态)** –––– –––– 40
热的 阻抗
°c/w
逻辑-水平的 门 驱动
先进的 处理 技术
表面 挂载
动态 dv/dt 比率
175°c 运行 温度
快 切换
全部地 avalanche 评估
参数 最大值 单位
I
D
@ t
C
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v
27
I
D
@ t
C
= 100°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v
19 一个
I
DM
搏动 流 电流
110
P
D
@T
C
= 25°c 电源 消耗 56 W
直线的 减额 因素 0.37 w/°c
V
GS
门-至-源 电压 ±16 V
E
作
单独的 脉冲波 avalanche 活力
110 mJ
I
AR
avalanche 电流
16 一个
E
AR
repetitive avalanche 活力
5.6 mJ
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
10 v/ns
T
J
运行 接合面 和 -55 至 + 175
T
STG
存储 温度 范围 °C
焊接 温度, 为 10 秒 300 (1.6mm 从 情况)
绝对 最大 比率
fifth 一代 hexfets 从 国际的 整流器
utilize 先进的 处理 技巧 至 达到 这
最低 可能 在-阻抗 每 硅 范围. 这个 益处,
联合的 和 这 快 切换 速 和 加固
设备 设计 那 hexfet 电源 mosfets 是 好
知道 为, 提供 这 设计者 和 一个 极其 效率高的
设备 为 使用 在 一个 宽 多样性 的 产品.
这 d
2
pak 是 一个 表面 挂载 电源 包装 有能力 的
accommodating 消逝 sizes 向上 至 十六进制-4. 它 提供 这
最高的 电源 能力 和 这 最低 可能 在-
阻抗 在 任何 存在 表面 挂载 包装. 这
D
2
pak 是 合适的 为 高 电流 产品 因为 的
它的 低 内部的 连接 阻抗 和 能 dissipate 向上
至 2.0w 在 一个 典型 表面 挂载 应用.
描述
2
d pak
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