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典型 产品
(持续)
1.2v 涉及 运作 在 10 µA 和 2V
ds005697-20
*Select 比率 的 R1 至 R2 至 获得 零 温度 逐渐变化
1.2v 调整器 和 1.8v 最小 输入
ds005697-7
*Select 比率 的 R1 至 R2 为 零 温度 逐渐变化
齐纳 偏置
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Alternate 修整 技巧
ds005697-50
*For
±
10% 调整, 选择 R
设置
10% 高, 和 制造 R1
≈
3R
设置
缓存区 为 Photoconductive Cell
ds005697-51
场效应晶体管 Cascoding 为 低 电容 和/或者 过激 高 输出 阻抗
ds005697-21
*Select Q1 或者 Q2 至 确保 在 least 1V 横过 这 lm134. V
p
(1 −
I
设置
/i
DSS
)
≥
1.2v.
ds005697-22
lm134/lm234/lm334
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典型产品 (持续) 1.2v 涉及运作在 10 µA 和 2V ds005697-20 Select 比率的 R1 至 R2 至获得零温度逐渐变化 1.2v 调整器和 1.8v 最小输入 ds005697-7 Select 比率的 R1 至 R2 为零温度逐渐变化齐纳偏置 ds005697-49 Alternate 修整技巧 ds005697-50 For ± 10% 调整, 选择 R 设置 10% 高, 和制造 R1 ≈ 3R 设置缓存区为 Photoconductive Cell ds005697-51 场效应晶体管 Cascoding 为低电容和/或者过激高输出阻抗 ds005697-21 Select Q1 或者 Q2 至确保在 least 1V 横过这 lm134. V p (1 − I 设置 /i DSS ) ≥ 1.2v. ds005697-22 lm134/lm234/lm334 www.国家的.com 10

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