绝对 最大 比率
(便条 2)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
请 联系 这 国家的 半导体 销售 办公室/
分发 为 有效性 和 规格.
供应 电压 6.0v
存储 温度 −65˚C 至 +150˚C
输入 电压 −0.3v 至 V
DD
+0.3v
电源 消耗 (便条 3) 内部 限制
静电释放 Susceptibility (便条 4) 2500V
静电释放 Susceptibility (便条 5) 250V
接合面 温度 150˚C
焊接 信息
看 一个-1112
″
微观的-smd Wafers 水平的 碎片 规模
包装
″
.
运行 比率
温度 范围
T
最小值
≤
T
一个
≤
T
最大值
−40˚C
≤
T
一个
≤
85˚C
供应 电压 2.0v
≤
V
DD
≤
5.5v
电的 特性 V
DD
=5V
(注释 1, 2, 9)
这 下列的 规格 应用 为 V
DD
= 5V 和 8
Ω
加载 除非 否则 指定. 限制 应用 为 T
一个
= 25˚c.
标识 参数 情况
LM4877
单位
(限制)
典型 限制
(便条 6) (便条 7)
V
DD
供应 电压 2.0 V (最小值)
5.5 V (最大值)
I
DD
安静的 电源 供应 电流 V
在
= 0v, I
o
= 0A 5.3 7 毫安 (最大值)
I
SD
关闭 电流 V
PIN5
= 0V 0.01 2 µA (最大值)
V
OS
输出 补偿 电压 V
在
= 0V 5 50 mV (最大值)
P
o
输出 电源 THD = 0.2% (最大值);f=1khz 1 W
THD+N 总的 调和的 Distortion+Noise P
o
= 0.25 wrms; 一个
VD
=2;20hz
≤
f
≤
20 kHz
0.1 %
PSRR 电源 供应 拒绝 比率 V
DD
= 4.9v 至 5.1v 65 dB
电的 特性 V
DD
= 3.3v
(注释 1, 2, 9)
这 下列的 规格 应用 为 V
DD
= 3.3v 和 8
Ω
加载 除非 否则 指定. 限制 应用 为 T
一个
= 25˚c.
标识 参数 情况
LM4877
单位
(限制)
典型 限制
(便条 6) (便条 7)
V
DD
供应 电压 2.0 V (最小值)
5.5 V (最大值)
I
DD
安静的 电源 供应 电流 V
在
= 0v, I
o
= 0A 4 毫安 (最大值)
I
SD
关闭 电流 V
PIN5
= 0V 0.01 µA (最大值)
V
OS
输出 补偿 电压 V
在
= 0V 5 mV (最大值)
P
o
输出 电源 THD = 1% (最大值);f=1khz .5 .45 W
THD+N 总的 调和的 Distortion+Noise P
o
= 0.25 wrms; 一个
VD
=2;20hz
≤
f
≤
20 kHz
0.15 %
PSRR 电源 供应 拒绝 比率 V
DD
= 3.2v 至 3.4v 65 dB
电的 特性 V
DD
= 2.6v
(注释 1, 2, 8, 9)
这 下列的 规格 应用 为 V
DD
= 2.6v 和 8
Ω
加载 除非 否则 指定. 限制 应用 为 T
一个
= 25˚c.
标识 参数 情况
LM4877
单位
(限制)
典型 限制
(便条 6) (便条 7)
V
DD
供应 电压 2.0 V (最小值)
5.5 V (最大值)
I
DD
安静的 电源 供应 电流 V
在
= 0v, I
o
= 0A 3.4 毫安 (最大值)
LM4877
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