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ltc1067/ltc1067-50
odes 的 手术
U
w
模式 3a
这个 是 一个 分机 的 模式 3 在哪里 这 高通 和
低通 产出 是 求和 通过 两个 外部 resis-
活动范围, 右
h
和 右
l
, 至 创建 一个 缺口 (请参见 图 7). 模式 3a
是 更多 多才多艺 比 模式 2 因为 这 缺口 fre-
频率 可以 是 较高 或 下部 比 这 中心 频率
的 这 2nd 订单 截面. 这 外部 op 放大器 的 图 7
是 不 总是 必填项. 当 层叠 这 截面图 的 这
ltc1067, 这 高通 和 低通 产出 可以 是
求和 直接 进入 这 反转 输入 的 这 下一个
截面.
请 参考 至 这 操作 限制 段落 下 应用程序-
阳离子 信息 用于 一个 指南 至 这 使用 的 电容器 c
c
.
图 7. 模式 3a, 2nd 订单 过滤器 提供 一个 高通 缺口 或 低通 缺口 输出
模式 2n
这个 模式 扩展 这 电路 拓扑 的 模式 3a 至
模式 2 (图 8) 在哪里 这 高通-缺口 和 低通
产出 是 求和 通过 两个 外部 电阻, 右
h
和 右
l
, 至 创建 一个 低通 输出 与 一个 缺口 较高 入点
频率 比 这 缺口 入点 模式 2. 这个 模式, 显示 入点
图 8, 是 大多数 有用的 入点 低通 elliptic 设计. 当
层叠 这 截面图 的 这 ltc1067, 这 高通-
缺口 和 低通 产出 可以 是 求和 直接 进入
这 反转 输入 的 这 下一个 截面.
请 参考 至 这 操作 限制 段落 下 应用程序-
阳离子 信息 用于 一个 指南 至 这 使用 的 电容器 c
c
.
图 8. 模式 2n, 2nd 订单 过滤器 提供 一个 低通 缺口 输出
–
+
Σ
∫ ∫
AGND
R1
HP
BP
lp
v
入点
1067 f07
+
–
s
R2
R3
R4
c
c
–
+
外部 op 放大器 或 输入 op
放大器 的 这 ltc1067, 侧面 一个 或 b
HIGHPASS
或 lowpass
缺口 输出
右
g
右
l
右
h
R2
R1
( )
右
G
右
h
()
f
o
=
;
f
n
=
h
OHPn
(f =
∞
) = ; h
OLPn
(f = 0) =
f
CLK
比率
f
CLK
比率
√
右
h
右
l
√
R2
R4
q = 1.005
R3
R2
√
R2
R4
( )
R4
R1
( )
右
G
右
l
()
备注: 比率 = 100 用于 ltc1067
= 50 用于 ltc1067-50
R3
(比率)(0.32)(r4)
( )
1
1 –
–
+
Σ
∫ ∫
AGND
R1
HP
BP
lp
v
入点
1067 f08
+
–
s
R2
R3
R4
c
c
–
+
外部 op 放大器 或 输入 op amp
的 这 ltc1067, 侧面 一个 或 b
LOWPASS
NOTCH
输出
右
g
右
l
右
h
f
o
=
f
n
=
h
OLPn
(f = 0)= +
f
CLK
比率
f
CLK
比率
√
右
h
右
l
1 +
R2
R1
右
G
右
l
右
G
右
h
()
1
R2
R4
1 +
( )
( )
√
R2
R4
1 +
q = 1.005
R3
R2
( )
√
R2
R4
1 +
备注: 比率 = 100 用于 ltc1067
= 50 用于 ltc1067-50
R3
(比率)(0.32)(r4)
( )
1
1 –
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