7
LTC1151
U
S
一个
O
PP
L
IC
在
I
WU
U
I 为 ATIO
含铅的 线/焊盘
铜 查出 接合面
nominally unnecessary
电阻 使用 至
thermally balance
其它 输入 电阻
输出
电阻 含铅的, 焊盘,
铜 查出 接合面
1151 f01
–
+
LTC1151
图示 1. extra 电阻器 cancel 热的 emf
电阻器 是 另一 源 的 热的 emf errors. 表格
1 显示 这 热的 emf 发生 为 不同的 电阻器.
这 温度 gradient 横过 这 电阻 是 重要的,
不 这 包围的 温度. 那里 是 二 汇合处
formed 在 各自 终止 的 这 电阻 和 如果 这些 汇合处 是
在 这 一样 温度, 它们的 热的 emfs 将 cancel
各自 其它. 这 热的 emf 号码 是 近似的
和 相异 和 电阻 值. 高 值 给 高等级的
热的 emf.
表格 1. 电阻 热的 emf
电阻 类型 热的 emf/
°
c gradient
tin oxide
>
1mv/
°
C
carbon composition
∼
450
µ
v/
°
C
metal 影片
∼
20
µ
v/
°
C
线 伤害
evenohm, manganin
∼
2
µ
v/
°
C
包装-induced 补偿 电压
包装-induced 热的 emf 影响 是 另一 impor-
tant 源 的 errors. 它们 arise 在 这 汇合处 formed
当 线 或者 打印 电路 查出 联系 一个 包装 含铅的.
像 所有 这 先前 提到 热的 emf 影响,
它们 是 外部 这 ltc1151’s 补偿 趋于零 循环 和
不能 是 cancelled. 这 输入 补偿 电压 规格
的 这 ltc1151 是 的确 设置 用 这 包装-induced
warm-向上 逐渐变化 相当 比 用 这 电路 它自己. 这 热的
时间 常量 范围 从 0.5 至 3 分钟, 取决于 在
包装 类型.
ALIASING
像 所有 抽样 数据 系统, 这 ltc1151 exhibits
aliasing 行为 在 输入 发生率 near 这 抽样
频率. 这 ltc1151 包含 一个 高 频率 cor-
rection 循环 这个 降低 这个 效应. 作 一个 结果,
aliasing 是 不 一个 问题 为 许多 产品.
为 一个 完全 discussion 的 这 纠正 电路系统 和
aliasing 行为, 请 谈及 至 这 ltc1051/ltc1053
数据 薄板.
低 供应 运作
这 最小 供应 为 恰当的 运作 的 这 ltc1151
是 典型地 4.0v (
±
2.0v). 在 单独的 供应 产品,
psrr 是 有保证的 向下 至 4.7v (
±
2.35v) 至 确保
恰当的 运作 在 最小 ttl 供应 电压 的 4.75v.
U
SA
O
PP
L
IC
在
ITY
P
I
CA
L
+IN
输出
V
5
7
4
6
3
2
8
1
1k
1M
1k
1M
1151 ta03
增益 = 1000v/v
输出 补偿 < 5ma
–
+
1/2
LTC1151
–
+
1/2
LTC1151
V
–
–IN
0.1
µ
F
0.1
µ
F
V
+
高 电压 仪器 放大器
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