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LTC126 6
LTC126 6 - 3.3/LTC1266 - 5
pi fu ctio s
U
UU
tdrive (管脚 1):
高 电流 驱动 为 topside 场效应晶体管.
这个 场效应晶体管 能 是 也 p-频道 或者 n-频道, 用户
可选择的 用 管脚 3. 电压 摆动 在 这个 管脚 是 从 pwr
V
在
至 地面.
pwr v
在
(管脚 2):
电源 suppy 为 驱动 信号. 必须 是
closely decoupled 至 电源 地面 (管脚 15).
pinv (管脚 3):
阶段 invert. sets 这 阶段 的 这 topside
驱动器 至 驱动 也 一个 p-频道 或者 一个 n-频道 场效应晶体管
作 跟随:
p-频道: 管脚 3 = 0v
n-频道: 管脚 3 = pwr v
在
binh (管脚 4):
burst 模式 运作 inhibit. 一个 cmos 逻辑
高 在 这个 管脚 将 使不能运转 这 burst 模式 运作
特性 forcing 持续的 运作 向下 至 零 加载.
V
在
(管脚 5):
主要的 供应 管脚.
C
T
(管脚 6):
外部 电容. c
T
从 管脚 4 至 地面 sets
这 运行 频率. 这 真实的 频率 是 也
依赖 在 这 输入 电压.
I
TH
(管脚 7):
增益 放大器 解耦 要点. 这 电流
比较器 门槛 增加 和 这 管脚 7 电压.
Sense
–
(管脚 8):
connects 至 内部的 resistive 分隔物
这个 sets 这 输出 电压 在 ltc1266-3.3 和
ltc1266-5 版本. 管脚 8 是 也 这 (–) 输入 为 这
电流 比较器.
Sense
+
(管脚 9):
这 (+) 输入 至 这 电流 比较器.
一个 建造-在 补偿 在 管脚 8 和 9 在 conjunction 和
R
SENSE
sets 这 电流 trip 门槛.
V
FB
(管脚 10):
为 这 ltc1266 可调整的 版本, 管脚 10
serves 作 这 反馈 管脚 从 一个 外部 resistive
分隔物 使用 至 设置 这 输出 电压. 在 ltc1266-3.3
和 ltc1266-5 版本 这个 管脚 是 不 使用.
shdn (管脚 11):
当 grounded, 这 ltc1266 序列
运作 正常情况下. 拉 管脚 11 高 holds 两个都 mosfets
止 和 puts 这 ltc1266 在 微小功率 关闭 模式.
需要 cmos 逻辑 信号 和 t
r
, t
f
< 1
µ
s. 应当 不 是
left floating.
sgnd (管脚 12):
小-信号 地面. 必须 是 routed
separately 从 其它 grounds 至 这 (–) 终端 的 c
输出
.
LB
在
(管脚 13):
输入 至 这 低-电池 比较器. 这个
输入 是 对照的 至 一个 内部的 1.25v 涉及.
LB
输出
(管脚 14):
打开 流 输出 的 这 低-电池
比较器. 这个 管脚 将 下沉 电流 当 管脚 13 是
在下 1.25v.
pgnd (管脚 15):
驱动器 电源 地面. connects 至 源
的 n-频道 场效应晶体管 和 这 (–) 终端 的 c
在
.
bdrive (管脚 16):
高 电流 驱动 为 bottom n-chan-
nel 场效应晶体管. 电压 摆动 在 管脚 16 是 从 地面 至
pwr v
在
.
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