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LTC1772B
APPLICATIONs iN为MATION
WUU
U
在哪里 f 是 这 运行 频率. accepting 大 值
的 i
波纹
准许 这 使用 的 低 inductances, 但是 结果 在
高等级的 输出 电压 波纹 和 更好 核心 losses. 一个
合理的 开始 要点 为 设置 波纹 电流 是
I
波纹
= 0.4(i
输出(最大值)
). remember, 这 最大 i
波纹
occurs 在 这 最大 输入 电压.
这 波纹 电流 是 正常情况下 设置 此类 那 这 inductor
电流 是 持续的 向下 至 大概 1/4 的 maxi-
mum 加载 电流. 这个 结果 在:
I
R
波纹
SENSE
≤
003.
这个 implies 一个 最小 电感 的:
L
VV
f
R
VV
VV
最小值
在 输出
SENSE
输出 D
在 D
=
−
+
+
003.
(使用 v
在(最大值)
= v
在
)
一个 小 值 比 l
最小值
可以 是 使用 在 这 电路;
不管怎样, 这 inductor 电流 transitioning 从 continu-
ous 至 discontinuous 将 出现 在 一个 高等级的 加载 电流.
电源 场效应晶体管 选择
一个 外部 p-频道 电源 场效应晶体管 必须 是 选择
为 使用 和 这 ltc1772b. 这 主要的 选择 criteria 为
这 电源 场效应晶体管 是 这 门槛 电压 v
gs(th)
和
这 “on” 阻抗 r
ds(在)
, 反转 转移 电容
C
RSS
和 总的 门 承担.
自从 这 ltc1772b 是 设计 为 运作 向下 至 低
输入 电压, 一个 逻辑 水平的 门槛 场效应晶体管 (r
ds(在)
有保证的 在 v
GS
= 2.5v) 是 必需的 为 产品 那
工作 关闭 至 这个 电压. 当 这些 mosfets 是 使用,
制造 确信 那 这 输入 供应 至 这 ltc1772b 是 较少
比 这 绝对 最大 v
GS
比率, 典型地 8v.
这 必需的 最小 r
ds(在)
的 这 场效应晶体管 是 gov-
erned 用 它的 容许的 电源 消耗. 为 产品
那 将 运作 这 ltc1772b 在 落后, i.e., 100%
职责 循环, 在 它的 worst 情况 这 必需的 r
ds(在)
是 给
用:
R
P
Ip
DS 在
P
输出 最大值
直流
()
()
%
=
=
()
+
()
100
2
1
δ
在哪里 p
P
是 这 容许的 电源 消耗 和
δ
p 是 这
温度 dependency 的 r
ds(在)
. (1 +
δ
p) 是 一般地
给 为 一个 场效应晶体管 在 这 表格 的 一个 normalized r
ds(在)
vs
温度 曲线, 但是
δ
p = 0.005/
°
c 能 是 使用 作 一个
approximation 为 低 电压 mosfets.
在 产品 在哪里 这 最大 职责 循环 是 较少 比
100% 和 这 ltc1772b 是 在 持续的 模式, 这
R
ds(在)
是 governed 用:
R
P
直流 I
p
DS 在
P
输出
()
≅
()
+
()
2
1
δ
在哪里 直流 是 这 最大 运行 职责 循环 的 这
ltc1772b.
输出 二极管 选择
这 catch 二极管 carries 加载 电流 在 这 止-时间.
这 平均 二极管 电流 是 因此 依赖 在 这
p-频道 转变 职责 循环. 在 高 输入 电压 这
二极管 conducts 大多数 的 这 时间. 作 v
在
approaches v
输出
这 二极管 conducts 仅有的 一个 小 fraction 的 这 时间. 这
大多数 stressful 情况 为 这 二极管 是 当 这 输出
是 短的-短路. 下面 这个 情况 这 二极管 必须
safely handle i
顶峰
在 关闭 至 100% 职责 循环. 因此,
它 是 重要的 至 adequately 具体说明 这 二极管 顶峰 电流
和 平均 电源 消耗 所以 作 不 至 超过 这
二极管 比率.
下面 正常的 加载 情况, 这 平均 电流 con-
ducted 用 这 二极管 是:
I
VV
VV
I
D
在 输出
在 D
输出
=
−
+
这 容许的 向前 电压 漏出 在 这 二极管 是 calcu-
lated 从 这 最大 短的-电路 电流 作:
V
P
I
F
D
SC 最大值
≈
()
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