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资料编号:1002898
 
资料名称:LTC1982ES6
 
文件大小: 154K
   
说明
 
介绍:
Single and Dual Micropower High Side Switch Controllers in SOT-23
 
 


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ltc1981/ltc1982
2
终端 电压
ltc1981: v
CC
, 门, shdn, gdr ........ –0.3v 至 7.5v
ltc1982: v
CC
, 门 1, 门 2,
shdn 1, shdn 2 ................... –0.3v 至 7.5v
绝对 axi U RATI GS
W
WW
U
(注释 1, 2)
电的 特性
denotes 这 规格 这个 应用 在 这 全部 运行
温度 范围, 否则 规格 是 在 t
一个
= 25
°
c. v
CC
= 5v 除非 否则 指定. c
门 1
= c
门 2
= c
= 1000pf.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
CC
运行 供应 电压
1.8 5.5 V
I
CC
供应 电流 门 1 和 门 2 输出 高
17 30
µ
一个
门 1 或者 门 2 输出 高
10 20
µ
一个
门 输出 高 (ltc1981)
17 30
µ
一个
I
SHDN
shdn 供应 电流 shdn 1 和 shdn 2 输入 低
1
µ
一个
shdn 输入 低 (ltc1981)
1
µ
一个
V
门 驱动 输出 电压 V
CC
= 1.8v
4.27 4.50 4.75 V
V
CC
= 2.7v
6.40 6.75 7.10 V
V
CC
= 3.3v
6.90 7.25 7.50 V
V
CC
= 5v
6.90 7.25 7.50 V
f
OSC
承担 打气 振荡器 频率 量过的 和 10k 电阻 从 输出 至 地 600 kHz
t
转变-在 时间 在 1000pf 从 shdn 1, shdn 2 going 高 至
门 1, 门 2 = v
CC
+ 1v 110
µ
s
从 shdn going 高 至 门 = v
CC
+1v (ltc1981) 85
µ
s
t
转变-止 时间 在 1000pf 从 shdn 1, shdn 2 going 低 至
门 1, 门 2
,
门 = 100mv 12
µ
s
V
IL
shdn 输入 低 电压 V
CC
= 1.8v 至 5.5v
0.4 V
V
IH
shdn 输入 高 电压 V
CC
= 1.8v 至 5.5v
1.6 V
C
shdn 输入 电容 (便条 4) 5 pF
I
shdn 输入 泄漏 电流
±
1
µ
一个
顺序 部分
号码
s6 部分
标记
T
JMAX
= 150
°
c,
θ
JA
= 230
°
c/w
咨询 工厂 为 部分 指定 和 wider 运行 温度 范围.
LTPF
LTC1982ES6
包装/顺序 i ATIO
UUW
运行 温度 范围
ltc1981e/ltc1982e (便条 3) ............ 40
°
c 至 85
°
C
存储 温度 范围 ................. 65
°
c 至 150
°
C
含铅的 温度 (焊接, 10 秒).................. 300
°
C
顺序 部分
号码
s5 部分
标记
T
JMAX
= 150
°
c,
θ
JA
= 250
°
c/w
LTSF
LTC1981ES5
4 门
5 v
CC
shdn 3
gdr 1
顶 视图
s5 包装
5-含铅的 塑料 sot-23
地 2
shdn 1 1
地 2
shdn 2 3
6 v
CC
5 门 1
4 门 2
顶 视图
s6 包装
6-含铅的 塑料 sot-23
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