MCM67A618
2
motorola 快 sram
块 图解
a0 – a15
dq0 – dq17
记忆 排列
64k x 18
E
写 放大
输出
缓存区
控制
16
18
AL
LW
UW G
16
18
18
获得
DL
18
9 9
获得
获得
真实 表格
E LW UW AL* DL* G 模式
供应
电流
i/o
状态
H X X X X X deselected 循环 I
SB
High–Z
L X X L X X 读 或者 写 使用 latched 地址 I
CC
—
L X X H X X 读 或者 写 使用 unlatched 地址 I
CC
—
L H H X X L 读 循环 I
CC
数据 输出
L H H X X H 读 循环 I
CC
High–Z
L L L X L X 写 两个都 字节 使用 latched 数据 在 I
CC
High–Z
L L L X H X 写 两个都 字节 使用 unlatched 数据 在 I
CC
High–Z
L L H X X X 写 循环, 更小的 字节 I
CC
High–Z
L H L X X X 写 循环, 更小的 字节 I
CC
High–Z
*E和 地址 satisfy 这 指定 建制 和 支撑 时间 为 这 下落 边缘 的 al. data–in satisfies 这 指定 建制
*和 支撑 时间 为 下落 边缘 的 dl.
便条: 这个 真实 表格 显示 这 应用 的 各自 函数. 结合体 的 这些 功能 是 有效的.
绝对 最大 比率
(电压 关联 至 v
SS
= 0)
比率
标识 值 单位
电源 供应 电压 V
CC
– 0.5 至 7.0 V
电压 相关的 至 v
SS
为 任何
管脚 除了 v
CC
V
在
, v
输出
– 0.5 至 v
CC
+ 0.5 V
输出 电流 (每 i/o) I
输出
±
30
毫安
电源 消耗 P
D
1.6 W
温度 下面 偏差 T
偏差
– 10 至 + 85
°
C
运行 温度 T
一个
0 至 + 70
°
C
存储 温度 T
stg
– 55 至 + 125
°
C
便条: 永久的设备 损坏 将 出现 如果 绝对 最大 ratings 是
超过.函数的 运作 应当 是 restricted 至 推荐 oper-
ATING情况. 暴露 至 高等级的 比 推荐 电压 为
扩展 时期 的 时间 可以 影响 设备 可靠性.
这个设备包含 电路系统 至 保护 这
输入相反 损坏 预定的 至 高 静态的
电压或者 electric 地方; 不管怎样, 它 是advised
那正常的 预防措施 是带去 至 避免
应用的 任何 电压高等级的 比 maxi-
mum评估 电压 至 这个 high–impedance
电路.
这个bicmos 记忆电路 有 被
设计 至 满足 这 直流 和 交流 规格
显示在 这 tables, 之后 热的equilibrium
有 被 established.
这个设备 包含 电路系统 那 将 确保
这输出 设备 是 在 high–z 在 电源 向上.
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