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资料编号:1008085
 
资料名称:M29F002BNB120K1
 
文件大小: 189K
   
说明
 
介绍:
2 Mbit 256Kb x8, Boot Block Single Supply Flash Memory
 
 


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m29f002bt, m29f002bb, m29f002bnt, m29f002bnb
12/22
表格 11. 直流 特性
(t
一个
便条: 1. excluding 这 rp输入.
2. 抽样 仅有的, 不 100% 测试.
3. T
一个
= 25°c, v
CC
= 5v.
标识 参数 测试 情况 最小值
Typ
(3)
最大值 单位
I
LI
(1)
输入 泄漏 电流
0V
V
V
CC
±1 µA
I
LR1
rp 泄漏 电流 高
RP
= v
CC
±1 µA
I
LR2
RP泄漏 电流 低
RP
= v
SS
–0.2 –10 µA
I
LO
输出 泄漏 电流
0V
V
输出
V
CC
±1 µA
I
CC1
供应 电流 (读)
E
= v
IL
, g= v
IH
,
f = 6mhz
515mA
I
CC2
供应 电流 (备用物品) ttl
E
= v
IH
1mA
I
CC3
供应 电流 (备用物品) cmos
E
= v
CC
±0.2v,
RP
= v
CC
±0.2v
30 100 µA
I
CC4
(2)
供应 电流 (程序/擦掉)
程序/擦掉
控制 起作用的
20 毫安
V
IL
输入 低 电压 –0.5 0.8 V
V
IH
输入 高 电压 2
V
CC
+0.5
V
V
OL
输出 低 电压
I
OL
= 5.8ma
0.45 V
V
OH
输出 高 电压 ttl
I
OH
= –12.5ma
2.4 V
输出 高 电压 cmos
I
OH
= –100µa V
CC
–0.4
V
V
ID
identification 电压 11.5 12.5 V
I
ID
identification 电流
a9 = v
ID
100 µA
V
LKO
(2)
程序/擦掉 lockout 供应
电压
3.2 4.2 V
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