M312L5128MT0_集成电路资料查询网

ddr sdram
4gb 注册 dimm
Rev. 0.4 april. 2004
ddr sdram idd 规格 表格
m312l5128mt0  [ (st.512m x 4) * 18 , 4gb 单元 ]
(v
DD
=2.7v,  t = 10
°
c)
* 单元 idd 是 计算 在 这 基准的 组件 idd 和  能 是 differently 量过的  符合 至 dq 加载 cap.
标识 b3(ddr333 @cl=2.5) a2(ddr266@cl=2) b0(ddr266@cl=2.5) 单位 注释
IDD0
4600 4025 4025
毫安
IDD1
5140 4565 4565
毫安
IDD2P
841 791 791
毫安
IDD2F
2260 1955 1955
毫安
IDD2Q
1705 1475 1475
毫安
IDD3P
1705 1655 1655
毫安
IDD3N
3160 2855 2855
毫安
IDD4R
5500 4745 4745
毫安
IDD4W
6760 5735 5735
毫安
IDD5
7480 6995 6995
毫安
IDD6 正常的
913 863 863
毫安
低 电源 毫安 Optional
IDD7A
9460 8165 8165
毫安

标　题:
内　容:
用户名:

手机号:	(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)

本平台电子爱好着纯手工中文简译:	截至2020/5/17日,支持英文词汇500个

ddr sdram 4gb 注册 dimm Rev. 0.4 april. 2004 ddr sdram idd 规格表格 m312l5128mt0 [ (st.512m x 4) * 18 , 4gb 单元 ] (v DD =2.7v, t = 10 ° c) * 单元 idd 是计算在这基准的组件 idd 和能是 differently 量过的符合至 dq 加载 cap. 标识 b3(ddr333 @cl=2.5) a2(ddr266@cl=2) b0(ddr266@cl=2.5) 单位注释 IDD0 4600 4025 4025 毫安 IDD1 5140 4565 4565 毫安 IDD2P 841 791 791 毫安 IDD2F 2260 1955 1955 毫安 IDD2Q 1705 1475 1475 毫安 IDD3P 1705 1655 1655 毫安 IDD3N 3160 2855 2855 毫安 IDD4R 5500 4745 4745 毫安 IDD4W 6760 5735 5735 毫安 IDD5 7480 6995 6995 毫安 IDD6 正常的 913 863 863 毫安低电源毫安 Optional IDD7A 9460 8165 8165 毫安

	电话：13410210660 QQ : 84325569
	联系方式： E-mail:CaiZH01@163.com