首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:1012861
 
资料名称:M58BW016DB80T3T
 
文件大小: 895K
   
说明
 
介绍:
16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories
 
 


: 点此下载
  浏览型号M58BW016DB80T3T的Datasheet PDF文件第10页
10
浏览型号M58BW016DB80T3T的Datasheet PDF文件第11页
11
浏览型号M58BW016DB80T3T的Datasheet PDF文件第12页
12
浏览型号M58BW016DB80T3T的Datasheet PDF文件第13页
13

14
浏览型号M58BW016DB80T3T的Datasheet PDF文件第15页
15
浏览型号M58BW016DB80T3T的Datasheet PDF文件第16页
16
浏览型号M58BW016DB80T3T的Datasheet PDF文件第17页
17
浏览型号M58BW016DB80T3T的Datasheet PDF文件第18页
18
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
m58bw016bt, m58bw016bb, m58bw016dt, m58bw016db
14/63
ing 同步的 burst 读 行动. 总线 sig-
nals 是 latched 在 这 起作用的 边缘 的 这 时钟.
这 时钟 能 是 配置 至 有 一个 起作用的 ris-
ing 或者 下落 边缘. 在 同步的 burst 读
模式 这 地址 是 latched 在 这 第一 起作用的
时钟 边缘 当 获得 使能 是 低, v
IL
, 或者 在
这 rising 边缘 的 获得 使能, whichever occurs
第一.
在 异步的 总线 行动 这 时钟 是
不 使用.
burst 地址 进步 (b
).
这 burst 地址
进步, b
, 控制 这 advancing 的 这 地址
用 这 内部的 地址 计数器 在 synchro-
nous burst 读 行动.
burst 地址 进步, b
, 是 仅有的 抽样 在 这
起作用的 时钟 边缘 的 这 时钟 当 这 x-latency
时间 有 expired. 如果 burst 地址 进步 是
低, v
IL
, 这 内部的 地址 计数器 advances. 如果
burst 地址 进步 是 高, v
IH
, 这 内部的
地址 计数器 做 不 改变; 这 一样 数据
仍然是 在 这 数据 输入/输出 和 burst ad-
dress 进步 是 不 抽样 直到 这 y-latency
expires.
这 burst 地址 进步, b
, 将 是 系 至 v
IL
.
有效的 数据 准备好 (r).
这 有效的 数据 准备好
输出, r, 是 一个 打开 流 输出 那 能 是
使用, 在 同步的 burst 读 行动,
至 identify 如果 这 记忆 是 准备好 至 输出 数据 或者
不. 这 有效的 数据 准备好 输出 能 是 config-
ured 至 是 起作用的 在 这 时钟 边缘 的 这 invalid
数据 读 循环 或者 一个 循环 在之前. 有效的 数据
准备好, 在 v
IH
, indicates 那 新 数据 是 或者 将 是
有. 当 有效的 数据 准备好 是 低, v
IL
, 这
previous 数据 输出 仍然是 起作用的.
在 所有 异步的 行动, 有效的 数据 准备好
是 高-阻抗. 它 将 是 系 至 其它 混合-
nents 和 这 一样 有效的 数据 准备好 信号 至
create 一个 唯一的 系统 准备好 信号. 这 有效的
数据 准备好 输出 有 一个 内部的 拉-向上 电阻
的 周围 1 m
powered 从 v
DDQ
, designers
应当 使用 一个 外部 拉-向上 电阻 的 这 cor-
rect 值 至 满足 这 外部 定时 需要-
ments 为 有效的 数据 准备好 going 至 v
IH
.
写 保护 (wp
).
这 写 保护, wp, pro-
vides 保护 相反 程序 或者 擦掉 opera-
tions. 当 写 保护, wp
, 是 在 v
IL
这 第一
二 (在 这 bottom 配置) 或者 last 二 (在 这
顶 配置) 参数 blocks 和 所有 主要的
blocks 是 锁. 当 写 保护 wp
是 在
V
IH
所有 这 blocks 能 是 编写程序 或者 erased, 如果
非 其它 保护 是 使用.
供应 电压 (v
DD
).
这 供应 电压, v
DD
,
是 这 核心 电源 供应. 所有 内部的 电路 绘制
它们的 电流 从 这 v
DD
管脚, 包含 这 pro-
gram/擦掉 控制.
输出 供应 电压 (v
DDQ
).
这 输出 sup-
ply 电压, v
DDQ
, 是 这 输出 缓存区 电源 供应
为 所有 行动 (读, 程序 和 擦掉) 使用
为 dq0-dq31 当 使用 作 输出.
输入 供应 电压 (v
DDQIN
).
这 输入 sup-
ply 电压, v
DDIN
, 是 这 电源 供应 为 所有 输入
信号. 输入 信号 是: k, b
, l, w, gd, g, e, a0-
a18 和 d0-d31, 当 使用 作 输入.
程序/擦掉 供应 电压 (v
PP
).
这 pro-
gram/擦掉 供应 电压, v
PP
, 是 使用 为 pro-
gram 和 擦掉 行动. 这 记忆 正常情况下
executes 程序 和 擦掉 行动 在 v
PP1
电压 水平. 在 一个 制造 环境,
程序编制 将 是 speeded 向上 用 应用 一个
高等级的 电压 水平的, v
PPH
, 至 这 v
PP
管脚.
这 电压 水平的 v
PPH
将 是 应用 为 一个 总的
的 80 小时 在 一个 最大 的 1000 循环.
stressing 这 设备 在之外 这些 限制 可以
损坏 这 设备.
地面 (v
SS
和 v
SSQ
).
这 地面 v
SS
是 这
涉及 为 这 内部的 供应 电压 v
DD
. 这
地面 v
SSQ
是 这 涉及 为 这 输出 和
输入 供应 v
ddq,
和 v
DDQIN
. 它 是 essential 至
连接 v
SS
和 v
SSQ
一起.
便条: 一个 0.1
µ
f 电容 应当 是 连接
在 这 供应 电压, v
DD
, v
DDQ
V
DDIN
和 这 grounds, v
SS
和 v
SSQ
至 decou-
ple 这 电流 surges 从 这 电源 供应.
这 pcb 追踪 widths 必须 是 sufficient 至 车-
ry 这 电流 必需的 在 所有 行动
的 这 部分, 看 表格 15, 直流 特性,
为 最大 电流 供应 (所需的)东西.
don’t 使用 (du).
这个 管脚 应当 不 是 使用 作 它
是 内部 连接. 它的 电压 水平的 能 是 是-
tween v
SS
和 v
DDQ
或者 leave 它 unconnected.
不 连接 (nc).
这个 管脚 是 不 physically
连接 至 这 设备.
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com