mitsubishi electric
m5m5408bfp/tp/rt/kv/kr
修订-k0.1e, ' 98.07.30
4194304-位 (524288-文字 用 8-位) cmos 静态的 内存
mitsubishi lsis
初步的
注意: 这个 是 不 一个 最终 规格.
一些 参数 限制 是 主题 至 改变
函数 表格
块 图解
3
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
VCC
(3v)
地
(0v)
W
OE
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
S
一个4
一个5
一个6
一个7
一个12
一个14
一个16
一个17
一个18
一个11
一个9
一个8
20
一个0
19
一个1
18
一个2
17
一个3
一个13
1
2
3
4
16
15
14
13
12
11
10
9
6
模式
DQ
Icc
S W OE
写
读
H
L
L
L
L X
L
H
H
H
X X
非 选择
高-阻抗
高-阻抗
起作用的
备用物品
读
一个15
7
一个10
31
a0 ~ a18
dq1 ~ dq8
S
W
OE
Vcc
地
地址 输入
数据 输入 / 输出
碎片 选择 输入
写 控制 输入
输出 inable 输入
电源 供应
地面 供应
管脚
函数
数据 输入 (d)
起作用的
起作用的
记忆 排列
524288 words
x 8 位
时钟
发生器
函数
这 m5m5408bfp,tp,rt,kv,kr 是 有组织的 作 524,288-
words 用 8-位. 这些 设备 运作 在 一个 单独的 +5.0v
电源 供应, 和 是 直接地 ttl 兼容 至 两个都 输入
和 输出. 它的 全部地 静态的 电路 needs 非 clocks 和 非
refresh, 和 制造 它 有用的.
一个 写 运作 是 executed 在 这 s 低 和 w 低
overlap 时间. 这 地址(a0~a18) 必须 是 设置 向上 在之前
这 写 循环
一个 读 运作 是 executed 用 设置 w 在 一个 高 水平的
和 oe 在 一个 低 水平的 当 s 是 在 一个 起作用的 状态(s=l).
当 设置 s 在 一个 高 水平的, 这 碎片 是 在 一个 非-
可选择的 模式 在 这个 两个都 读 和 writing 是
无能. 在 这个 模式, 这 输出 平台 是 在 一个 高-阻抗
状态, 准许 或者-系 和 其它 碎片. 设置 这 oe 在 一个 高
水平的,这 输出 平台 是 在 一个 高-阻抗 状态, 和 这
数据 总线 contention 问题 在 这 写 循环 是 eliminated.
这 电源 供应 电流 是 减少 作 低 作 0.4µa(25°c,
典型), 和 这 记忆 数据 能 是 使保持 在 +2v 电源
供应, enabling 电池 后面的-向上 运作 在 电源 失败
或者 电源-向下 运作 在 这 非-选择 模式.
数据 输出 (q)
12
11
10
9
25
26
27
28
8
7
6
5
4
3
2
30
1
31
23
24
13
14
15
17
32
22
18
19
20
21
29
16
21
22
23
25
26
27
28
29
32
8
30
5
24
m5m5408bkv/kr
M5M5408B
fp/tp/rt
m5m5408bkv/kr
M5M5408B
fp/tp/rt
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