首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:1014581
 
资料名称:M68AF127BM70MC6
 
文件大小: 373K
   
说明
 
介绍:
1Mbit 128K x8, 5V Asynchronous SRAM
 
 


: 点此下载
  浏览型号M68AF127BM70MC6的Datasheet PDF文件第11页
11
浏览型号M68AF127BM70MC6的Datasheet PDF文件第12页
12
浏览型号M68AF127BM70MC6的Datasheet PDF文件第13页
13
浏览型号M68AF127BM70MC6的Datasheet PDF文件第14页
14

15
浏览型号M68AF127BM70MC6的Datasheet PDF文件第16页
16
浏览型号M68AF127BM70MC6的Datasheet PDF文件第17页
17
浏览型号M68AF127BM70MC6的Datasheet PDF文件第18页
18
浏览型号M68AF127BM70MC6的Datasheet PDF文件第19页
19
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
15/23
M68AF127B
表格 8. 写 模式 交流 特性
便条: 1. 在 任何 给 温度 和 电压 情况, t
WLQZ
是 较少 比 t
WHQX
为 任何 给 设备.
2. 这些 参数 是 定义 作 这 时间 在 这个 这 输出 达到 这 打开 电路 情况 和 是 不 关联 至 output
电压 水平.
标识 参数
M68AF127B
单位
55 70
t
AVAV
写 循环 时间 最小值 55 70 ns
t
AVEH
地址 有效的 至 碎片 使能 高 最小值 45 60 ns
t
AVEL
地址 有效的 至 碎片 使能 低 最小值 0 0 ns
t
AVWH
地址 有效的 至 写 使能 高 最小值 45 60 ns
t
AVWL
地址 有效的 至 写 使能 低 最小值 0 0 ns
t
DVEH
输入 有效的 至 碎片 使能 高 最小值 25 30 ns
t
DVWH
输入 有效的 至 写 使能 高 最小值 25 30 ns
t
EHAX
碎片 使能 高 至 地址 转变 最小值 0 0 ns
t
EHDX
碎片 使能 高 至 输入 转变 最小值 0 0 ns
t
ELEH
碎片 使能 低 至 碎片 使能 高 最小值 45 60 ns
t
ELWH
碎片 使能 低 至 写 使能 高 最小值 45 60 ns
t
WHAX
写 使能 高 至 地址 转变 最小值 0 0 ns
t
WHDX
写 使能 高 至 输入 转变 最小值 0 0 ns
t
WHQX
(1)
写 使能 高 至 输出 转变 最小值 5 5 ns
t
WLEH
写 使能 低 至 碎片 使能 高 最小值 45 60 ns
t
WLQZ
(1,2)
写 使能 低 至 输出 hi-z 最大值 20 20 ns
t
WLWH
写 使能 低 至 写 使能 高 最小值 45 60 ns
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com