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资料编号:101798
 
资料名称:MMBT2907ALT1
 
文件大小: 247.41K
   
说明
 
介绍:
General Purpose Transistors
 
 


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MMBT2907LT1 MMBT2907ALT1
3
motorola small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
典型 特性
图示 3. 直流 电流 增益
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
0.3
0.5
0.7
1.0
3.0
0.2
–0.1
T
J
= 125
°
C
25
°
C
55
°
C
V
CE
= –1.0 v
V
CE
= –10 v
h
FE
, normalized 电流 增益
2.0
–0.2 –0.3 –0.5 –0.7 –1.0 –2.0 –3.0 –5.0 –7.0 –10 –20 –30 –50 –70 –100 –200 –300 –500
图示 4. 集电级 饱和 区域
I
B
, 根基 电流 (毫安)
–0.4
–0.6
–0.8
–1.0
–0.2
v , collector–emitter 电压 (伏特)
0
CE
I
C
= –1.0 毫安
–0.005
–10 毫安
–0.01
–100 毫安
–500 毫安
–0.02 –0.03 –0.05 –0.07 –0.1 –0.2 –0.3 –0.5 –0.7 –1.0
–2.0
–3.0
–5.0 –7.0 –10 –20
–30
–50
图示 5. turn–on 时间
I
C
, 集电级 电流
300
–5.0
图示 6. turn–off 时间
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
–5.0
t, 时间 (ns)
t, 时间 (ns)
200
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
3.0
–7.0 –10 –20 –30 –50 –70 –100 –200 –300 –500
t
r
2.0 v
t
d
@ v
是(止)
= 0 v
V
CC
= –30 v
I
C
/i
B
= 10
T
J
= 25
°
C
500
300
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
–7.0 –10 –20 –30 –50 –70 –100 –200 –300 –500
200
t
f
t
s
= t
s
– 1/8 t
f
V
CC
= –30 v
I
C
/i
B
= 10
I
B1
= i
B2
T
J
= 25
°
C
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