max6361/max6363/max6364
sot23, 低-电源 µp supervisory 电路
和 电池 backup
_______________________________________________________________________________________ 5
1.234
1.235
1.236
MAX6364
重置 在 门槛
vs. 温度
max6361 toc10
温度 (
°
c)
门槛 (v)
-40 20 40-20 0 60 80
典型 运行 特性 (持续)
(t
一个
= +25°c, 除非 否则 指出.)
1.0
1.9
1.6
1.3
2.8
2.5
2.2
MAX6364
重置 在 至 重置 传播 延迟
vs. 温度
max6361 toc11
温度 (
°
c)
传播 延迟 (
µ
s)
-40 20 40-20 0 60 80
V
OD
= 50mv
管脚 描述
详细地 描述
这
典型 运行 电路
显示 一个 典型 connec-
tion 为 这 max6361/max6363/max6364 家族. 输出
powers 这 静态的 随机的-进入 记忆 (sram). 输出
是 内部 连接 至 v
CC
如果 v
CC
是 更好 比 这
重置 门槛, 或者 至 这 更好 的 v
CC
或者 v
BATT
当
V
CC
是 较少 比 这 重置 门槛. 输出 能 供应 向上
至 150ma 从 v
CC
. 当 v
CC
是 高等级的 比 v
BATT
, 这
batt 在 (max6363) 输出 是 低. 当 v
CC
是 更小的
比 v
BATT
, 一个 内部的 场效应晶体管 connects 这 backup
电池 至 输出. 这 在-阻抗 的 这 场效应晶体管 是 一个
函数 的 backup-电池 电压 和 是 显示 在 这
电池 至 输出 在-阻抗 vs. 温度 图表 在
这
典型 运行 特性
部分.
backup-电池 输入. 当 v
CC
falls 在下 这 重置 门槛, batt switches 至 输出 如果 v
BATT
是 20mv
更好 比 v
CC
. 当 v
CC
rises 20mv 在之上 v
BATT
, v
CC
switches 至 输出. 这 40mv hysteresis
阻止 重复的 切换 如果 v
CC
falls 慢速地.
BATT6
MAX6363
电池-在 输出. batt 在 变得 高 在 电池 backup 模式.
batt 在
MAX6364
重置 输入. 当 重置 在 falls 在下 1.235v, 重置 是 asserted. 重置 输出 仍然是
asserted 作 长 作 重置 在 是 低 和 为 在 least 150ms (t
RP
) 之后 重置 在 变得 高.
重置 在
供应 电压. 重置 是 asserted 当 v
CC
drops 在下 这 重置 门槛 电压 (v
TH
). 重置
仍然是 asserted 直到 v
CC
rises 在之上 v
TH
和 为 在 least 150ms 之后 v
CC
rises 在之上 v
TH
.
V
CC
4
输出. 输出 来源 从 v
CC
当 它 是 在之上 这 重置 门槛 (v
TH
), 和 从 这 更好 的 v
CC
或者
batt 当 v
CC
是 在下 v
TH
.
输出5
MAX6361
手工的-重置 输入. 维持 逻辑 低 在
MR
asserts 一个 重置. 重置 输出 仍然是 assert-
ed 为 在 least 150ms (t
RP
) 之后
MR
transitions 从 低 至 高. leave unconnected 或者 连接 至 v
CC
如果 不 使用.
MR
3
GroundGND2
管脚
起作用的-低 重置 输出 (为 l 和 p 版本).
重置
仍然是 低 当 v
CC
是 在下 这 重置 thresh-
old 和 为 在 least 150ms (t
RP
) 之后 v
CC
rises 在之上 这 重置 门槛.
重置
也 asserts 当
MR
或者 重置 在 是 低.
重置
起作用的-高 重置 输出 (为 h 版本). 重置 仍然是 高 当 v
CC
是 在下 这 重置 门槛
和 为 在 least 150ms (t
RP
) 之后 v
CC
rises 在之上 这 重置 门槛. 重置 也 asserts 当
MR
或者
重置 在 是 低.
重置
1
FUNCTIONNAME
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