ii. 制造 信息
一个. 描述/函数:双 偏远的/local 温度 传感器 和四-频道 电压 monitors
b. 处理: B8(标准 0.8 micron 硅 门 cmos)
c. number 的 设备 晶体管: 26,783
d. fabrication location: 加利福尼亚, usa
e. 组装location: 泰国或者 philippines
f. 日期 的 initial production: July,2001
iii. 包装 信息
一个. 包装 类型:
16-含铅的 qsop
b. 含铅的 框架: 铜
c. 含铅的 完成: 焊盘 加设护板
d. 消逝 连结: Silver-filled 环氧的
e. bondwire: 金 (1 mil dia.)
f. 模型 材料: 环氧的 和 silica filler
g. 组装 diagram: buildsheet # 05-2901-0011
h. flammability 比率: 类 ul94-V0
i. 分类 的 moisture 敏锐的
每 电子元件工业联合会 标准 jesd22-a112: 水平的 1
iv. 消逝 信息
一个. 维度: 86 x 144毫英寸
b. passivation: Si
3
N
4
/sio
2
(硅 渗氮/ 硅 dioxide)
c. interconnect: 铝/铜/si
d. backside敷金属: 毫无
e. 最小 metal 宽度: .8 microns (作 描绘)
f. 最小 metal 间隔: .8 microns (作 描绘)
g. bondpad 维度: 5 mil. sq.
h. 分开 dielectric: SiO
2
i. 消逝 分离 方法: 薄脆饼 锯
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