MAX667
+5v/可编程序的 低-落后
电压 调整器
_______________________________________________________________________________________ 3
1000
1
1 10 100 1000
落后 voltage
vs. 加载 电流
10
100
max667-fg toc 1
加载 电流 (毫安)
落后 电压 (mv)
安静的 current
vs. 加载 电流
安静的 电流 (
µ
一个)
10
100
1000
10,000
100,000
0.01 0.1 1 10 100 1000
max667-fg toc 2
加载 电流 (毫安)
V
在
= +6v
1000
1
0 50 150 250
10
100
max667-fg toc 3
100 200
dd 输出 current
vs. 输入-输出 区别
dd 输出 电流 (
µ
一个)
输入-输出 区别 (mv)
5 10
1
20 50 100ma 加载
2
__________________________________________典型 运行 特性
_____________________管脚 描述 _______________详细地 描述
图示 1 显示 一个 微小功率 bandgap 涉及, 一个
错误 放大器, 一个 pnp 通过 晶体管, 和 二 com-
parators 作 这 主要的 elements 的 这 max667. 一个
比较器, c1, 选择 这 fixed 5v 或者 可调整的
运作 和 一个 外部 电压 分隔物. 这 其它
比较器, c2, 是 一个 低-电池 探测器.
这 bandgap 涉及, 这个 是 修整 至 1.22v,
connects 内部 至 一个 输入 的 这 错误 放大器,
a1. 这 反馈 信号 从 这 调整器 输出 sup-
plies 这 其它 输入 的 a1 从 也 一个 在-碎片 volt-
age 分隔物 或者 二 外部 电阻器. 当 设置 是
grounded, 这 内部的 分隔物 提供 这 错误 放大器-
fier 反馈 信号 为 一个 fixed 5v 输出. 当 设置 是
更多 比 50mv 在之上 地面, 这 错误 放大器’s
输入 switches 直接地 至 设置 当 一个 外部 电阻
分隔物 从 输出 确定 这 输出 电压.
一个 第二 比较器, c2, 比较 这 lbi 输入 至
这 内部的 涉及 电压. lbo 是 一个 打开-流
场效应晶体管 连接 至 地. 这 低-电池 门槛 能
也 是 设置 和 一个 电压 分隔物 在 lbi. 在 增加, 这
max667 有 一个 关闭 输入 (shdn) 那 使不能运转
这 加载 和 这 设备 当 减少 安静的 cur-
rent 当 它 是 牵引的 高.
+5v 输出
图示 2 显示 这 连接 为 一个 fixed 5v 输出.
这 设置 输入 是 grounded, 和 非 外部 电阻器
是 必需的. 图示 3 显示 可调整的 输出 opera-
tion. r1 和 r2 设置 这 输出 电压. shdn 应当 是
grounded 如果 不 使用.
(输出) 电压 设置, cmos 输入.
连接 至 地 为 5v 输出. 为
其它 电压, 连接 外部 resis-
tive 分隔物 从 输出.
SET6
低-电池 输出. 一个 打开-流 n-
频道 晶体管 那 sinks 电流 至
地 当 lbi 是 较少 比 1.22v.
LBO7
积极的 输入 电压 (无秩序的)in8
管制 输出 电压. 输出 falls
至 0v 当 shdn 是 在之上 1.5v. 设置
确定 输出 电压 当 设置
是 在之上 50mv; 否则, 它 是 5v.
输出 必须 是 连接 至 一个 输出
过滤 电容.
OUT2
低-电池 探测器. 一个 cmos 输入
至 一个 内部的 1.255v 比较器
谁的 输出 是 这 lbo 管脚.
LBI3
GroundGND4
关闭 输入. 连接 至 地 为
正常的 运作 (输出 起作用的). 拉
在之上 1.5v 至 使不能运转 输出, lbo, 和
dd 和 至 减少 安静的 电流 至
较少 比 1µa.
SHDN5
管脚
落后 探测器 output—the collec-
tor 的 一个 pnp 通过 晶体管. 正常情况下
一个 打开 电路, 它 来源 电流 作
落后 是 reached.
DD1
FUNCTIONNAME
(t
一个
= +25°c, 除非 否则 指出.)
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