MAX667
放-电容 等效串联电阻 和 这个 序列 阻抗 应当, 在
最小, 满足 这 (所需的)东西 显示 在 图示 4.
一个 upper 限制 至 这 输出-电容 等效串联电阻 是 重要的
仅有的 如果 步伐 改变 至 这 加载 是 预期. 高等级的
等效串联电阻 结果 在 高等级的-振幅 输出-电压 tran-
sients 当 这 输出 电流 是 varied. 一个 sanyo
os-con 电容, 谁的 等效串联电阻 是 nearly flat 在 tem-
perature (和 是 低 至 begin 和), 在 序列 和 这
适合的 电阻 确保 这 最好的 加载-瞬时
效能. 一个 较少 expensive alternative 是 至 使用 一个
tantalum 电容 在 序列 和 这 电阻.
在 大多数 具体情况, inexpensive 铝-electrolytic
电容 工作 好 和 这 max667 在 它们的 全部
温度 范围, having sufficient 等效串联电阻 至 确保 sta-
bility 没有 这 需要 为 一个 序列 电阻. 这 等效串联电阻 的
aluminium electrolytics rises, 常常 dramatically, 作
温度 减少. 为 表面-挂载 applica-
tions, 确实 tantalum 电容 有 sufficient 等效串联电阻;
一个 例子 是 这 tajb106k016 碎片 电容 制造
用 avx (phone: (803) 448-9411, 传真: (803) 448-1943).
电池 流
这 max667 使用 一个 pnp 输出 晶体管. 当 这
输入 电压 falls 在下 这 desired 输出 电压, 这
+5v/可编程序的 低-落后
电压 调整器
6 _______________________________________________________________________________________
MAX667
地 SHDNSET
输出
R1
47k
DD
+5v outin
8
645
2
1
C1
10
µ
F
C2
0.1
µ
F
图示 6. 安静的-电流 减少 在下 落后
MAX667
DDGND
输出
R3
1M
R1
332k
R2
1M
设置
+5v outin
8
41
2
6
C1
10
µ
F
SHDN
5
图示 7. 连接 为 最小 安静的 电流 near
落后
10
0
0123456
2
max667-fg 8
输入 电压 (v)
安静的 电流 (毫安)
4
6
8
V
shdn = 0v
图示 8. 安静的 电流 在下 落后 为 电路 的
图示 2
MAX667
SHDNSET 地
输出
R
+5v outin
82
10
µ
F
645
图示 5. alternative 稳固 scheme 使用 电阻 r
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