pnp 晶体管 是 转变 在 全部地 作 规章制度 是 lost.
甚至 和 一个 加载 电流 的 一个 few microamperes, 这
根基 电流 将 是 驱动 在之上 5ma. 图示 8 显示
如何 这个 根基 电流 将 是 重大的.
consequently, 一个 mostly 释放 电池 能 是 fur-
ther 释放 在 终止-的-生命.
图示 6 显示 如何 这个 情况 能 是 修改 用
连接 dd 至 shdn 和 一个 47k
Ω
电阻, r1, par-
alleled 和 一个 0.1µf 电容 至 地. 这个 modifica-
tion 减少 这 非-加载 安静的 电流 至
大概 160µa 当 落后 是 reached (图示
9), 但是 增加 这 落后 电压 用 关于 0.1v.
这 输出 电压 drops 至 大概 3v once dd
begins 至 活动 shdn, 但是 它 做 不 下降 至 零
因为 shdn 是 仅有的 partially 使活动.
一个 第二 alternate 连接 (图示 7) 更远
减少 安静的 电流 near 这 落后 电压,
对照的 至 这 电路 在 图示 6. 这 输出 必须 是
设置 和 外部 电阻器 (r1, r2), 所以 dd lowers 这
输出 电压 作 这 输入 电压 falls 用 sourcing
电流 在 设置 通过 r3. 安静的 电流 仍然是 低
为 输入 向下 至 3.5v, 和 顶峰 在之前 下落 至 0
在 低 输入 电压. 虽然 这 电流 顶峰 是
高等级的 比 和 这 连接 在 图示 6, 这个 将
是 更多 有用的 因为 这 安静的 电流 顶峰
在 一个 输入 电压 好 在下 这 有用的 范围 的 大多数
batteries (图示 9). 也, 作 在 falls 在下 5v, 输出
轨道 在 minus 这 落后 电压. 这个 连接
安静的 准许 独立的 使用 的 这 shdn 输入.
电源 消耗
这 max667 能 regulate 电流 作 高 作 250ma
和 承受 输入-输出 差别的 电压 作 高
作 15.2v, 但是 不 同时发生地. 这 最大 电源
消耗 是 依赖 在 这 包装 和 这 tem-
perature (看
绝对 最大 比率
). 图示 10
显示 这 最大 输出 电流 在 各种各样的 输入-
输出 差别的 电压 为 这 塑料 插件 和 所以
包装. 这 max667 能 承受 短的-电路
负载 向上 至 1 第二.
运作 从 交流 来源
这 max667 是 一个 微小功率 cmos 调整器 intend-
ed principally 为 电池 运作. 当 运行
从 交流 来源, 考虑 电源-供应 波纹 rejec-
tion. 这 max667’s 错误 放大器 生产 非常 低
增益 带宽, 和 这 输入 电源-供应 拒绝
MAX667
+5v/可编程序的 低-落后
电压 调整器
_______________________________________________________________________________________ 7
MAX667
+5v/可编程序的 低-落后
电压 调整器
V
在
(v)
I
地
(
µ
一个)
800
0
12 4 6
200
600
35
400
max667-fg 9
电路 of
图示 7
电路 of
图示 6
图示 9. 安静的 电流 在下 落后 和 连接
的 计算数量 6 和 7
V
在-
V
输出
(v)
加载 电流 (毫安)
400
0
015
100
300
200
10
5
有保证的 250ma
插件 package
消耗 限制
所以 package
消耗 限制
T
一个
= +50
˚
C
max667-fg 10
图示 10. max667 加载 电流 vs. 输入-输出 差别的
电压
图示 11. 输出 回馈 至 +4v/100
µ
s 输入 步伐
+10V
1ms/div
+6V
INPUT
+2v/div
+5v output
+0.2v/div
: 点此下载
