ii. 制造 信息
一个.描述/函数: 4-管脚 µp 电压 monitors和 手工的 重置 输入
b. 处理: s12 (sg1.2)-标准 1.2 micron 硅 门 cmos
c. fabrication location: oregon, usa
d.Transistor 计数: 341
d. 组装 location: 马来西亚 或者 thailand
e. 日期 的最初的 生产: January, 1997
iii. 包装 信息
一个. 包装 类型:
4-含铅的 sOT143
b. 含铅的 框架: 铜
c. 含铅的 完成: 焊盘 加设护板
d. 消逝 连结: Silver-filled 环氧的
e. bondwire: 金 (1.0mil dia.)
f. 模型 材料: 环氧的 和 silica filler
g. 组装 diagram: buildsheet # 05-1701-0263
h. flammability 比率: Class ul94-V0
i. 分类 的 潮气 敏锐的 每
电子元件工业联合会 标准 jesd22-a112: 水平的 1
iv. 消逝 信息
一个. 维度: 37x 31毫英寸
b. passivation: Si
3
N
4
/sio
2
(硅 渗氮/ 硅 dioxide)
c. interconnect: 铝/铜/si
d. backside 敷金属: 毫无
e. 最小 metal 宽度: 1.2 microns (作 描绘)
f. 最小 metal 间隔: 1.2 microns (作 描绘)
g. bondpad 维度: 5 mil. sq.
h. 分开 dielectric: SiO
2
i. 消逝 separation 方法: 薄脆饼 锯
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