MAX850–MAX853
低-噪音, 管制, 负的
承担-打气 电源 供应 为 gaasfet 偏差
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__________产品 信息
设置 这 输出 电压
为 这 max850–max852, 选择 也 一个 fixed 或者 一个
可调整的 输出 电压. 连接 fb 直接地 至 地 至
选择 这 fixed -4.1v 输出 (图示 2a). 至 选择 一个 改变-
nate 输出 电压, 连接 fb 至 这 中点 的 一个 resis-
tor 电压 分隔物 从 输出 至 地 (图示 2b). v
在
必须
是 1.0v 在之上 这 绝对 值 的 v
输出
至 准许 恰当的
规章制度. 这 输出 电压 是 计算 从 这 formu-
la 在下. choose r2 至 是 在 100k
Ω
至 400k
Ω
.
为 这 max853, 设置 这 输出 电压, vout, 用 con-
necting 一个 电阻 电压 分隔物 在 输出 和 一个
积极的 控制 电压, v
CTRL
(图示 2c.)
关闭
这 max850–max853 特性 一个 关闭 模式 那
减少 这 供应 电流 至 1µa 最大值 在 温度
(5µa 最大值 为 这 max851). 这 max850 和 max853 有
一个 起作用的-低 ttl 逻辑 水平的 shdn 输入, whereas 这
max851 有 一个 起作用的-高 shdn 输入. 至 shut 向下 这
max852, 设置 这 ocsc 输入 至 一个 逻辑-低 水平的. 这 设备
是 powered 向上 用 这 resumption 的 这 时钟 信号.
电容
使用 电容 和 低 有效的 序列 阻抗 (等效串联电阻) 至
维持 一个 低 落后 电压 (v
在
-
|
V
输出
|
). 这 整体的
落后 电压 是 一个 函数 的 这 承担 打气’s 输出
阻抗 和 这 电压 漏出 横过 这 直线的 调整器
(n-频道 通过 晶体管). 在 这 100khz 切换 fre-
quency, 这 承担-打气 输出 阻抗 是 一个 函数 的
c1 和 c2’s 等效串联电阻. 因此, 降低 这 等效串联电阻 的 这
承担-打气 电容 降低 这 落后 电压.
1µf, 0.8
Ω
等效串联电阻 电容 是 推荐 为 c1, c2,
和 c3. c4 应当 是 10µf, 0.2
Ω
等效串联电阻. 所有 电容
应当 是 也 表面-挂载 碎片 tantalum 或者 碎片
陶瓷的 类型. 外部 电容 值 将 是 调整 至
优化 大小 和 费用.
切换-频率 控制
使用 这 max852 至 降低 系统 干扰 造成 用
conflicting 时钟 发生率. 一个 外部 振荡器 能 设置
这 承担-打气 频率 和 减少 时钟 频率
MAX850
MAX851
MAX852
FB
输出
SHDN*
SHDN
OSC
NEGOUT
c1-
C1+
在
地
V
在
C3
1
µ
F
V
输出
= -4.1v
(v
GG
的 gaasfet)
*max850: shdn
max851: shdn
max852: osc
C4
10
µ
F
C1
1
µ
F
C2
1
µ
F
MAX853
内容
输出
SHDN
NEGOUT
c1-
C1+
在
地
V
在
C3
1
µ
F
V
输出
= -0.5v 至 -9v @ 5ma
C4
10
µ
F
C1
1
µ
F
C2
1
µ
F
R2
100k
R1
100k
V
CTRL
(0v 至 10v)
图示 2a. max850/max851/max852 标准 应用 电路
图示 2c. max853 标准 应用 电路
MAX850
MAX851
MAX852
FB
输出
SHDN*
SHDN
OSC
NEGOUT
c1-
C1+
在
地
V
在
C3
1
µ
F
V
输出
= (-1.28v) 1+
R2
R1
*max850: shdn
max851: shdn
max852: osc
C4
10
µ
F
C1
1
µ
F
C2
1
µ
F
R2
100k
R1
100k
(
)
图示 2b. max850/max851/max852 可调整的 配置
V = -1.28
输出
()
+
1
2
1
R
R
v = -v
R2
R1
输出 CTRL
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