MAX863
双, 高-效率, pfm, 步伐-向上
直流-直流 控制
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低-电压 开始-向上 振荡器
(激励 管脚)
这 max863 特性 一个 低-电压 开始-向上 振荡器
那 guarantees 开始-向上 在 bootstrapped 配置
向下 至 1.5v. 在 这些 低 供应 电压, 这 错误
比较器 和 内部的 偏置 的 这 ic 是 锁
输出. 这 低-电压 振荡器 switches 这 外部
场效应晶体管 和 周围 30% 职责 循环 直到 这 电压
在 v
DD
rises 在之上 2.7v. 在 这个 要点, 这 错误 com-
parator 和 一个-shot 定时 电路系统 转变 在. 这 低-
电压 振荡器 是 使能 用 连接 这 激励
管脚 至 v
DD
. 当 激励 是 高, v
DD
必须 是 连接-
ed 至 v
OUT1
.
使用 这 开始-向上 振荡器 在 这 bootstrapped configu-
限定 仅有的, 自从 这 max863 运作 在 一个 打开-循环
状态 当 这 开始-向上 振荡器 是 起作用的.
当 使用
一个 非-bootstrapped 电路 配置, 连接
激励 至 地
至 使不能运转 这 开始-向上 振荡器. 这个
阻止 这 输出 从 rising too 高 当 v
DD
是
在 1.5v 和 2.7v, 此类 作 在 电源-向上 和
低-电池 情况.
bootstrapped/非-bootstrapped 模式
计算数量 2 和 4 显示 标准 产品 在 激励-
strapped 和 非-bootstrapped 模式. 在 激励-
strapped 模式, 这 ic 是 powered 从 这 输出 (v
DD
是 连接 至 out1, 激励 是 连接 至 v
DD
).
bootstrapped-模式 运作 是 有用的 为 增加
这 门 驱动 至 这 mosfets 在 低-输入-电压
产品, 自从 ext1 和 ext2 摆动 从 v
DD
至
地. 增加 这 门-驱动 电压 减少 mos-
场效应晶体管 在-阻抗, 这个 改进 效率 和
增加 这 加载 范围. 为 供应 电压 在下
5v, bootstrapped 模式 是 推荐. 在 激励-
strapped 模式, 这 输出 连接 至 v
DD
必须 不
超过 11v.
如果 激励 是 高, v
DD
必须 是 连接-
ed 至 out1
.
在 非-bootstrapped 模式, 这 ic 是 powered 用 一个
直接 连接 从 这 输入 电压 至 v
DD
. 自从
这 电压 摆动 应用 至 这 门 的 这 外部
场效应晶体管 是 获得 从 v
DD
, 这 外部 场效应晶体管 在-
阻抗 增加 在 低 输入 电压. 这 迷你-
mum 输入 电压 是 2.7v. 为 运作 向下 至 4v,
使用 逻辑-水平的 mosfets. 为 更小的 输入 电压, 使用
低-门槛 逻辑-水平的 mosfets. 当 两个都 输出
电压 是 设置 在之上 11v, 非-bootstrapped 模式 是
mandatory.
MAX863
EXT2
CS2
V
OUT2
= 24v
V
OUT1
= 12v
V
在
= 2.7v 至 11v
n1.b
IRF7301
C7
0.1
µ
F
R4
56k
1%
C6
15pF
C5
22
µ
F
35V
0.1
Ω
R2
100m
Ω
R3
1M
1%
n1.一个
R1
50m
Ω
R7
100k
C1
100
µ
F
16V
≤
0.1
Ω
R8
1M
1%
R9
115k
1%
D1
MBRS340T3
R6R5
C8
10pF
D2
MBRS140
L1
10
µ
H
2A
L2
10
µ
H
1A
C3
100
µ
F
20V
≤
0.1
Ω
C4
100
µ
F
20V
≤
0.1
Ω
C2
0.1
µ
F
FB2
SHDN1
EXT1
CS1
LBO
低-电池
探测器 输出
FB1
V
DD
PGND
LBI
地
激励
SENSE1
SHDN2
REF
开关
C10
270pF
C9
82pF
图示 4b. 可调整的 非-bootstrapped 典型 运行 电路
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