max1908/max8724
低-费用 multichemistry 电池 chargers
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电的 特性 (持续)
(v
DCIN
= v
CSSP
= v
CSSN
= 18v, v
BATT
= v
CSIP
= v
CSIN
= 12v, v
REFIN
= 3v, v
VCTL
= v
ICTL
= 0.75 x v
REFIN
, cells = float, cls =
ref, v
BST
- v
LX
= 4.5v, acin = 地 = pgnd = 0, c
LDO
= 1µf, ldo = dlov, c
REF
= 1µf; cci, ccs, 和 ccv 是 补偿
每 图示 1a;
T
一个
= 0°c 至 +85°c
, 除非 否则 指出. 典型 值 是 在 t
一个
= +25°c.)
参数 标识 情况
最小值
典型值
最大值
单位
gms 放大器 跨导
GMS
V
CLS
= v
REF
, v
CSSP
- v
CSSN
= 75mv
0.5
1
2.0
µa/mv
cci, ccs, ccv clamp 电压
0.25v < v
ccv,ccs,cci
< 2v
150
300
600
mV
逻辑 水平
cells 输入 低 电压
0.4
V
cells 输入 float 电压
cells = float
(v
REFIN
/ 2) -
0.2v
V
REFIN
/ 2
(V
REF在
/ 2)+
0.2v
V
cells 输入 高 电压
V
REFIN
-0.4v
V
cells 输入 偏差 电流
cells = 0 或者 v
REFIN
-2
+2
µA
ACOK
和
SHDN
ACOK
输入 电压 范围
0
28
V
ACOK
下沉 电流
V
ACOK
= 0.4v, v
ACIN
= 3v
1
毫安
ACOK
泄漏 电流
V
ACOK
= 28v, v
ACIN
= 0
1
µA
SHDN
输入 电压 范围
0
LDO
V
V
SHDN
= 0 或者 v
LDO
-1
+1
SHDN
输入 偏差 电流
V
DCIN
= 0, v
SHDN
= 5v
-1
+1
µA
SHDN
门槛
V
SHDN
下落
22
23.5
25
% 的
V
REFIN
SHDN
门槛 hysteresis
1
% 的
V
REFIN
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