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资料编号:1020816
 
资料名称:MC33152DR2
 
文件大小: 151K
   
说明
 
介绍:
HIGH SPEED DUAL MOSFET DRIVERS
 
 


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mc34152, mc33152, ncv33152
http://onsemi.com
8
布局 仔细考虑
高 频率 打印 电路 布局 技巧 是
imperative至 阻止 过度的 输出 ringing 和
越过.
做 不 attempt 至 construct 这 驱动器 电路
在 wire−wrap 或者 plug−in prototypeboards.
驱动 大 电容的 负载, 这 打印 电路 板
必须 包含 一个 低 电感 地面 平面 至 降低
这 电压 尖刺 induced 用 这 高 地面 波纹
电流.所有 高 电流 循环 应当 是 保持 作 短的 作
可能 使用 重的 铜 runs 至 提供 一个 低
阻抗高 频率 path. 为 最佳的 驱动
效能,它 是 推荐 那 这 最初的 电路
设计 包含 双 电源 供应 绕过 电容
连接和 短的 leads 作 关闭 至 这 v
CC
管脚 和
地面 作 这 布局 将 准许. 建议的 电容 是
一个 低 电感 0.1
f 陶瓷的 在 并行的 和 一个 4.7
F
tantalum.额外的 绕过 电容 将 是 必需的
取决于在之上 驱动 输出 加载 和 电路 布局.
恰当的 打印 电路 板 布局 是 极其
核心的和 不能 是 在 emphasized.
图示 19. 增强 系统 效能 和
一般 切换 regulators
图示 20. 场效应晶体管 parasitic 振动
这 mc34152 非常 enhances 这 驱动 能力 的 一般 切换
regulators 和 cmos/ttl 逻辑 设备.
序列门 电阻 r
g
将 是 需要 至 damp 高 频率 parasitic 振动
造成 用 这 场效应晶体管 输入 电容 和 任何 序列 线路 电感 在 这
gate−source电路. r
g
将 decrease 这 场效应晶体管 切换 速. 肖特基 二极管
D
1
能 减少 这 驱动器’s 电源 消耗 预定的 至 过度的 ringing, 用 阻止
这 输出 管脚 从 正在 驱动 在下 地面.
+
V
R
g
D
1
1N5819
100k
TL494
或者
TL594
V
CC
47 0.1
6
5.7v
2
4
3
100k 100k
7
5
V
图示 21. 直接 变压器 驱动 图示 22. 分开的 场效应晶体管 驱动
输出 肖特基 二极管 是 推荐 当 驱动 inductive 负载 在 高
发生率. 这 二极管 减少 这 驱动器’s 电源 消耗 用 阻止 这
输出 管脚 从 正在 驱动 在之上 v
CC
和 在下 地面.
3
5
7
4 x
1N5819
100k 100k
分开
Boundary
1N
5819
3
100k
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