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资料编号:1022572
 
资料名称:MGSF1N02LT1
 
文件大小: 187K
   
说明
 
介绍:
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TMOS MOSFET
 
 


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MGSF1N02LT1
2
motorola small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的
标识 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
drain–to–source 损坏 电压
(v
GS
= 0 vdc, i
D
= 10
µ
模数转换器)
V
(br)dss
20 Vdc
零 门 电压 流 电流
(v
DS
= 16 vdc, v
GS
= 0 vdc)
(v
DS
= 16 vdc, v
GS
= 0 vdc, t
J
= 125
°
c)
I
DSS
1.0
10
µ
模数转换器
gate–body 泄漏 电流 (v
GS
=
±
20 vdc, v
DS
= 0 vdc) I
GSS
±
100 nAdc
在 特性
(1)
门 门槛 电压
(v
DS
= v
GS
, i
D
= 250
µ
模数转换器)
V
gs(th)
1.0 1.7 2.4 Vdc
静态的 drain–to–source on–resistance
(v
GS
= 10 vdc, i
D
= 1.2 模数转换器)
(v
GS
= 4.5 vdc, i
D
= 1.0 模数转换器)
r
ds(在)
0.075
0.115
0.085
0.125
Ohms
动态 特性
输入 电容 (v
DS
= 5.0 vdc) C
iss
100 pF
输出 电容 (v
DS
= 5.0 vdc) C
oss
90
转移 电容 (v
DG
= 5.0 vdc) C
rss
40
切换 特性
(2)
turn–on 延迟 时间
(v
DD
= 15 vdc, i
D
= 1.0 模数转换器,
R
L
= 50
)
t
d(在)
2.5
ns
上升 时间
(v
DD
= 15 vdc, i
D
= 1.0 模数转换器,
R
L
= 50
)
t
r
1.0
turn–off 延迟 时间
(v
DD
= 15 vdc, i
D
= 1.0 模数转换器,
R
L
= 50
)
t
d(止)
16
下降 时间 t
f
8.0
门 承担 (看 图示 6) Q
T
6000 pC
source–drain 二极管 特性
持续的 电流 I
S
0.6 一个
搏动 电流 I
SM
0.75
向前 电压
(2)
V
SD
0.8 V
(1) 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
≤
300
µ
s, 职责 循环
2%.
(2) 切换 特性 是 独立 的 运行 接合面 温度.
典型 电的 特性
0
1.5
2
0.5
1
图示 1. 转移 特性
1 1.5 2 2.5 3
I
D
, 流 电流 (放大器)
V
GS
, gate–to–source 电压 (伏特)
图示 2. on–region 特性
V
DS
= 10 v
T
J
= 150
°
C
25
°
C
55
°
C
0 2 4 10
0
1.5
2
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
I
D
, 流 电流 (放大器)
6
0.5
8
3
1
3.5
2.5
2.5
1 3 95 7
3.25 v
2.75 v
2.25 v
2.5 v
V
GS
= 3.0 v
4 v
3.5 v
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