MIC5018 Micrel
5-160 1997
应用 信息
供应 绕过
一个 电容 从 vs 至 地 是 推荐 至 控制
切换 和 供应 过往旅客. 加载 电流 和 供应
含铅的 长度 是 一些 的 这 factors 那 影响 电容
大小 (所需的)东西.
一个 4.7
µ
f 或者 10
µ
f 铝 electrolytic 或者 tantalum 电容
是 合适的 为 许多 产品.
这 低 等效串联电阻 (相等的 序列 阻抗) 的 tantalum
电容 制造 它们 特别 有效的, 但是 也 制造
它们 敏感 至 uncontrolled inrush 电流 从 低
阻抗 电压 来源 (此类 作 nicd batteries 或者 自动-
matic 测试 设备). 避免 instantaneously 应用 volt-
age, 有能力 的 高 顶峰 电流, 直接地 至 或者 near tantalum
电容 没有 额外的 电流 限制的. 正常的 电源
供应 转变-在 (慢 上升 时间) 或者 打印 电路 查出 resis-
tance 是 通常地 足够的 为 正常的 产品 用法.
场效应晶体管 选择
这 mic5018 是 设计 至 驱动 n-频道 增强-
类型 mosfets. 这 门 输出 (g) 的 这 mic5018 pro-
vides 一个 电压, 关联 至 地面, 那 是 更好 比 这
供应 电压. 谈及 至 这 “typical 特性: 门
输出 电压 vs. 供应 voltage” 图表.
这 供应 电压 和 这 场效应晶体管 流-至-源
电压 漏出 决定 这 门-至-源 电压.
V
GS
= v
G
– (v
供应
– v
DS
)
在哪里:
V
GS
= 门-至-源 电压 (增强)
V
G
= 门 电压 (从 图表)
V
供应
= 供应 电压
V
DS
= 流-至-源 电压 (approx. 0v 在
低 电流, 或者 当 全部地 增强)
VS
CTL
G
地
MIC5018
V
供应
1
23
4
加载
V
GS
V
DS
V
加载
V
GG
D
S
图示 1. 电压
这 效能 的 这 场效应晶体管 是 决定 用 这 门-
至-源 电压. choose 这 类型 的 场效应晶体管 符合 至
这 计算 门-至-源 电压.
标准 场效应晶体管
标准 mosfets 是 全部地 增强 和 一个 门-至-源
电压 的 关于 10v. 它们的 绝对 最大 门-至-
源 电压 是
±
20v.
和 一个 5v 供应, 这 mic5018 生产 一个 门 输出 的
大概 15v. 图示 2 显示 如何 这 remaining
电压 遵从. 这 真实的 流-至-源 电压 漏出
横过 一个 irfz24 是 较少 比 0.1v 和 一个 1a 加载 和 10v
增强. 高等级的 电流 增加 这 流-至-源
电压 漏出, 增加 这 门-至-源 电压.
VS
CTL
G
地
MIC5018
4.7µf
+5V
1
23
4
加载
逻辑
高
10V
approx. 0v
5V
15V
电压 是 近似的
* 国际的 整流器
标准 场效应晶体管
IRFZ24*
至 demonstrate
这个 电路, 尝试 一个
2
Ω
, 20w
加载 电阻 .
图示 2. 使用 一个 标准 场效应晶体管
这 mic5018 有 一个 内部的 齐纳 二极管 那 限制 这 门-
至-地面 电压 至 大概 16v.
更小的 供应 电压, 此类 作 3.3v, 生产 更小的 门
输出 电压 这个 将 不 全部地 增强 标准
mosfets. 这个 significantly 减少 这 最大 电流
那 能 是 切换. 总是 谈及 至 这 场效应晶体管 数据 薄板
至 预言 这 场效应晶体管’s 效能 在 明确的 applica-
tions.
逻辑-水平的 场效应晶体管
逻辑-水平的 n-频道 mosfets 是 全部地 增强 和 一个
门-至-源 电压 的 大概 5v 和 一般地
有 一个 绝对 最大 门-至-源 电压 的
±
10v.
VS
CTL
G
地
MIC5018
4.7µf
+3.3v
1
23
4
加载
逻辑
高
5.7v
approx. 0v
3.3v
9V
电压 是 近似的
* 国际的 整流器
逻辑-水平的 场效应晶体管
IRLZ44*
至 demonstrate
这个 电路, 尝试
5
Ω
, 5w 或者
47
Ω
, 1/4w
加载 电阻器.
图示 3. 使用 一个 逻辑-水平的 场效应晶体管
谈及 至 图示 3 为 一个 例子 表明 名义上的 电压.
这 最大 门-至-源 电压 比率 的 一个 逻辑-水平的
场效应晶体管 能 是 超过 如果 一个 高等级的 供应 电压 是 使用.
一个 外部 齐纳 二极管 能 clamp 这 门-至-源 volt-
age 作 显示 在 图示 4. 这 齐纳 电压, 加 它的
容忍, 必须 不 超过 这 绝对 最大 门
电压 的 这 场效应晶体管.
VS
CTL
G
地
MIC5018
V
供应
1
23
4
加载
5v < v
Z
< 10v
保护 门 的
逻辑-水平的 场效应晶体管
逻辑-水平的
n-频道
场效应晶体管
图示 4. 门-至-源 保护
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