MIC5319 Micrel
october 2004 8
m9999-100604
产品 信息
使能/关闭
这 mic5319 特性 一个 起作用的-高 使能 管脚 那 准许
这 调整器 至 是 无能. forcing 这 使能 管脚 低
使不能运转 这 调整器 和 发送 它 在 一个 “zero” 止-模式-
电流 状态. 在 这个 状态, 电流 consumed 用 这 调整器
变得 nearly 至 零. forcing 这 使能 管脚 高 使能 这
输出 电压. 这 起作用的-高 使能 管脚 使用 cmos
技术 和 这 使能 管脚 不能 是 left floating, 作 这个
将 导致 一个 indeterminate 状态 在 这 输出.
输入 电容
这 mic5319 是 一个 高-效能, 高 带宽 设备.
因此, 它 需要 一个 好-绕过 输入 供应 为 opti-
mal 效能. 一个 1
µ
f 电容 是 必需的 从 这 输入-
至-地面 至 提供 稳固. 低-等效串联电阻 陶瓷的 电容
提供 最优的 效能 在 一个 最小 的 空间. addi-
tional 高 频率 电容, 此类 作 小-valued npo
dielectric-类型 电容, 帮助 过滤 输出 高-频率 噪音
和 是 好的 设计 实践 在 任何 rf-为基础 电路.
输出 电容
这 mic5319 需要 一个 输出 电容 的 2.2
µ
f 或者 更好
至 维持 稳固. 这 设计 是 优化 为 使用 和 低-
等效串联电阻 陶瓷的 碎片 电容. 高 等效串联电阻 电容 将
导致 高 频率 振动. 这 输出 电容 能 是
增加, 但是 效能 有 被 优化 为 一个 2.2
µ
F
陶瓷的 输出 电容 和 做 不 改进 significantly
和 大 电容.
x7r/x5r dielectric-类型 陶瓷的 电容 是 recom-
mended 因为 的 它们的 温度 效能. x7r-
类型 电容 改变 电容 用 15% 在 它们的 oper-
ating 温度 范围 和 是 这 大多数 稳固的 类型 的
陶瓷的 电容. z5u 和 y5v dielectric 电容 改变
值 用 作 更 作 50% 和 60%, 各自, 在 它们的
运行 温度 范围. 至 使用 一个 陶瓷的 碎片 capaci-
tor 和 y5v dielectric, 这 值 必须 是 更 高等级的 比 一个
x7r 陶瓷的 电容 至 确保 这 一样 最小 capaci-
tance 在 这 相等的 运行 温度 范围.
绕过 电容
一个 电容 能 是 放置 从 这 绕过 管脚-至-地面 至
减少 输出 电压 噪音. 这 电容 bypasses 这
内部的 涉及. 一个 0.1
µ
f 电容 是 推荐 为
产品 那 需要 低-噪音 输出. 这 绕过 ca-
pacitor 能 是 增加, 更远 减少 噪音 和 improv-
ing psrr. 转变-在 时间 增加 slightly 和 遵守 至
绕过 电容. 一个 唯一的, 快-开始 电路 准许 这
mic5319 至 驱动 一个 大 电容 在 这 绕过 管脚 没有
significantly slowing 转变-在 时间. 谈及 至 这 “typical char-
acteristics” 部分 为 效能 和 不同的 绕过
电容.
非-加载 稳固
不像 许多 其它 电压 regulators, 这 mic5319 将
仍然是 稳固的 和 在 规章制度 和 非 加载. 这个 是 特别
重要的 在 cmos 内存 保持-alive 产品.
可调整的 调整器 应用
可调整的 regulators 使用 这 比率 的 二 电阻器 至 乘以
这 涉及 电压 至 生产 这 desired 输出 电压.
这 mic5319 能 是 调整 从 1.25v 至 5.5v 用 使用
二 外部 电阻器 (图示 1). 这 电阻器 设置 这 输出
电压 为基础 在 这 下列的 等式:
MIC5319BML
VOUTVIN
ADJBYP
地
V
在
V
输出
R1
2.2
µ
F
R2
1
µ
F
EN
图示 1. 可调整的 电压 应用
热的 仔细考虑
这 mic5319 是 设计 至 提供 500ma 的 持续的
电流 在 一个 非常 小 mlf 包装. 最大 包围的
运行 温度 能 是 计算 为基础 在 这 输出
电流 和 这 电压 漏出 横过 这 部分. 给 一个 输入
电压 的 3.3v, 输出 电压 的 2.8v 和 输出 电流 =
500ma, 这 真实的 电源 消耗 的 这 调整器 电路
能 是 决定 使用 这 等式:
P
D
= (v
在
– v
输出
) i
输出
+ v
在
×
I
地
因为 这个 设备 是 cmos 和 这 地面 电流 是
典型地 <100
µ
一个 在 这 加载 范围, 这 电源 消耗
contributed 用 这 地面 电流 是 < 1% 和 能 是 ignored
为 这个 计算.
P
D
= (3.3v – 2.8v)
×
500mA
P
D
= 0.25w
至 决定 这 最大 包围的 运行 温度
的 这 包装, 使用 这 接合面-至-包围的 热的 resis-
tance 的 这 设备 和 这 下列的 基本 等式:
T
J
(最大值) = 125
°
c, 这 最大 接合面 温度 的 这 消逝
θ
JA
热的 阻抗 = 93
°
c/w
VV1
R1
R2
V 1.25v
输出
REF
REF
=+
⎛
⎝
⎜
⎞
⎠
⎟
=
p(
T (最大值) – T
D
JA
JA
最大值)
=
⎛
⎝
⎜
⎞
⎠
⎟
θ
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