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资料编号:1031981
 
资料名称:MMBT2484LT1
 
文件大小: 209K
   
说明
 
介绍:
Low Noise Transistor(NPN Silicon)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
MMBT2484LT1
http://onsemi.com
2
电的 特性
(持续) (t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的 标识 最小值 最大值 单位
在 特性
直流 电流 增益
(i
C
= 1.0 madc, v
CE
= 5.0 vdc)
(i
C
= 10 madc, v
CE
= 5.0 vdc)
h
FE
250
800
collector–emitter 饱和 电压
(i
C
= 1.0 madc, i
B
= 0.1 madc)
V
ce(sat)
0.35
Vdc
base–emitter 在 电压
(i
C
= 1.0 madc, v
CE
= 5.0 vdc)
V
是(在)
0.95
Vdc
small–signal 特性
输出 电容
(v
CB
= 5.0 vdc, i
E
= 0, f = 1.0 mhz)
C
obo
6.0
pF
输入 电容
(v
EB
= 0.5 vdc, i
C
= 0, f = 1.0 mhz)
C
ibo
6.0
pF
噪音 图示
(i
C
= 10
模数转换器, v
CE
= 5.0 vdc, r
S
= 10 k
, f = 1.0 khz, bw = 200 hz)
NF
3.0
dB


图示 1. 晶体管 噪音 模型
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