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MRF177
motorola rf 设备 数据
这 rf 场效应晶体管 线条
RF 电源
地方 效应 晶体管
n–channel 增强 模式 场效应晶体管
设计 为 broadband 商业的 和 军队 产品 向上 至 400 MHz
频率 范围. primarily 使用 作 一个 驱动器 或者 输出 放大器 在 push–pull
配置. 能 是 使用 在 手工的 增益 控制, alc 和 调制
电路.
•
典型 效能 在 400 mhz, 28 v:
输出 电源 — 100 w
增益 — 12 db
效率 — 60%
•
低 热的 阻抗
•
低 c
rss
— 10 pf 典型值 @ v
DS
= 28 伏特
•
强壮 测试 在 评估 输出 电源
•
渗氮 钝化的 消逝 为 增强 可靠性
•
极好的 热的 稳固; suited 为 类 一个
运作
•
电路 板 photomaster 有 在之上 要求 用
contacting rf tactical 营销 在 phoenix, az.
最大 比率
比率 标识 值 单位
drain–source 电压 V
DSS
65 Vdc
drain–gate 电压 (r
GS
= 1.0 m
Ω
) V
DGR
65 Vdc
gate–source 电压 V
GS
±
40 Vdc
流 电流 — 持续的 I
D
16 模数转换器
总的 设备 消耗 @ t
C
= 25
°
c (1)
减额 在之上 25
°
C
P
D
270
1.54
Watts
w/
°
C
存储 温度 范围 T
stg
– 65 至 +150
°
C
运行 温度 范围 T
J
200
°
C
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
热的 阻抗, junction–to–case R
θ
JC
0.65
°
c/w
(1) 总的 设备 消耗 比率 应用 仅有的 当 这 设备 是 运作 作 一个 rf push–pull 放大器.
便条 —
提醒
— mos 设备 是 敏感 至 损坏 从 静电的 承担. 合理的 预防措施 在 处理 和
包装 mos 设备 应当 是 observed.
顺序 这个 文档
用 mrf177/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
MRF177
100 w, 28 v, 400 mhz
N–CHANNEL
BROADBAND
rf 电源 场效应晶体管
情况 744a–01, 样式 2
motorola, 公司 1997
2
1, 4
3
6
5, 8
7
rev 8
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