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资料编号:1033350
 
资料名称:MX26C2000B
 
文件大小: 986K
   
说明
 
介绍:
2M-BIT [256K x 8] CMOS MULTIPLE-TIME-PROGRAMMABLE-EPROM
 
 


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rev. 0.7, oct. 04, 2001
p/n: pm0765
MX26C2000B
command 模式
这 2 mbit mtp 非易失存储器
TM
是 在 command 模式 当
高 电压 v
PPH
是 应用 至 这 v
PP
管脚. 在 这个 状态 这
有 功能 是 读, 程序, 程序 核实,
eraseand 擦掉 核实. 重置 是 选择 用 writing
输入 至 这 状态 机器. 这 输出 从 这 状态
机器 确定 这 函数 的 这 设备. 这
command 寄存器 serves 作 一个 获得 至 store 数据 为
executing commands. 它 做 不 occupy 地址- 能
使用. 表格 2 定义 这 寄存器 commands. 这
水平的 (v
IL
), 当 ce 是 低. 地址 是 latched 在 这
的 这 我们 脉冲波.
备用物品 和 输出 使不能运转 功能 是 这 一样 作 在
读 模式, 控制 用 ce 和 oe. 如果 这 设备 是
verification, 这 设备 牵引 起作用的 电流 直到 这
读 command
至 读 记忆 内容, 写 00h 在 这 command
寄存器 当 高 电压 是 应用 至
V
PP
管脚 (v
PP
= v
PPH
). 微处理器 读 循环 retrieves
在 读 模式 当 电源 向上. 这个 是 至 确保 非
意外的 改变 的 这 记忆 occurs 在 电源
为 明确的 定时 参数.
设置 向上 擦掉/擦掉
preprogram 运作 是 不 必需的 较早的 至 这 擦掉
一个 完全 擦掉 运作: 设置 向上 擦掉, 擦掉, 和
擦掉 核实. 高 电压 是 应用 至 这 v
PP
管脚
(v
PP
=V
PPH
寄存器 至 initiate 这 设置-向上 擦掉 模式.
擦掉 运作
这 一样 command, 20h, 是 又一次 写 至 这
command 寄存器. 这个 第二 command 开始 大(量)
擦掉 运作. 这 二-步伐 command 阻止
意外的 改变 至 记忆 排列. 擦掉 运作
开始 和 这 rising 边缘 的 这 我们 脉冲波 和
terminates 和 这 rising 边缘 的 这 next 我们 脉冲波,
这个 在 这个 情况 是 这 擦掉 核实 command.
擦掉 核实
地址 的 这 字节 至 是 核实 是 有提供的 和 这
command. 这 地址 是 latched 在 这 下落 边缘 的
这 我们 脉冲波. 一个 读 ffh 是 returned 至 confirm 所有
位 在 这 字节 是 erased. 这个 sequence 的 设置 向上
擦掉- 擦掉 持续 为 各自 地址 直到 ffh 是
returned. 这个 indicates 这 全部 记忆 排列 是
erased 和 完成 这 运作. 擦掉 核实
运作 开始 在 地址 0000h 和 ends 在 这 last
地址. 最大 擦掉 脉冲波 持续时间 为 这 2mbit
mtp 非易失存储器
TM
是 100ms 和 一个 最大 30 脉冲.
谈及 至 交流 特性 和 波形 为 明确的
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