8xc196kb/8xc196kb16
处理 信息
这个 设备 是 制造的 在 p629. 0 和 629.1, 一个
CHMO
S iii-e 处理. 额外的 处理 和 reli-
abilit
y 信息 是 有 在
这
Intel
®
质量
Syste
m handbook:
http://developer.intel.com/设计/质量/质量.htm
270909–2
便条:
1. EPROMs 是 有 作 一个 时间 可编程序的
(otp
只读存储器) 仅有的.
图示 2. 这 8XC196KB 命名法
表格 1. 热的 特性
包装
θ
ja
θ
jc
类型
PLCC 35
°
c/w 13
°
c/w
QFP 70
°
c/w 4
°
c/w
所有 热的 阻抗 数据 是 近似的 为 静态的 空气
情况
s 在 1W 的 电源 消耗. 值 将 改变
dependin
g 在 运作 情况 和 应用. 看
th
e Intel
包装 Handbook
(顺序 号码 240800) 为 一个
descriptio
n 的 Intel’s 热的 阻抗 测试 methodology.
表格 2. 8XC196KB 记忆 编排
描述 地址
外部 记忆 或者 i/o
04000H
内部的 只读存储器/非易失存储器 或者 外部
Memor
y (决定 用 EA
)
2080H
保留. 必须 包含 ffh.
(不
e 5)
2040H
Upper 中断 Vectors 203FH
2030H
只读存储器/非易失存储器 安全 关键 202FH
2020H
保留. 必须 包含 ffh.
(不
e 5)
201AH
保留. 必须 包含 20h.
(不
e 5)
CCB 2018H
保留. 必须 包含 ffh.
(不
e 5)
2014H
更小的 中断 Vectors 2013H
2000H
端口 3 和 端口 4 1FFFH
1FFEH
外部 记忆 1FFDH
0100H
232 字节 寄存器 内存 (便条 1) 00FFH
0018H
CPU SFR’s (注释 1, 3) 0017H
0000H
注释:
1. 代号 executed 在 locations 0000H 至 00FFH 将 是
强迫
d 外部.
2. 保留 记忆 locations 必须 包含 0FFH 除非
指出.
3. 保留 SFR 位 locations 必须 包含 0.
4. 谈及 至 8XC196KB 快 涉及 为 SFR descrip-
tions.
5.
警告:
保留
d 记忆 locations 必须 不 是
writte
n 或者 读. 这 内容 和/或者 函数 的 这些 lo-
cation
s 将 改变 和 future revisions 的 这 设备.
因此, 一个 progra
m 那 relies 在 一个 或者 更多 的 这些
location
s 将 不 函数 合适的.
3
207FH
201FH
2019H
2017H
0FFFFH
3FFFH
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