ixys reserves 这 正确的 至 改变 限制, 测试 情况, 和 维度.
ixys mosfets 和 igbts 是 covered 用 一个 或者 更多 的 这 下列的 u.s. 专利权: 4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728b1
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
标识 测试 情况 典型的 值
(t
J
= 25
°
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
g
fs
I
C
= 60 一个; v
CE
= 10 v, 52 S
脉冲波 测试, t
≤
300
µ
s, 职责 循环
≤
2 %
C
ies
6600 pF
C
oes
V
CE
= 25 v, v
GE
= 0 v, f = 1 mhz 660 pF
C
res
196 pF
Q
g
240 nC
Q
ge
I
C
= i
C90
, v
GE
= 15 v, v
CE
= 0.5 v
CES
85 nC
Q
gc
90 nC
t
d(在)
60 ns
t
ri
45 ns
t
d(止)
140 280 ns
t
fi
180 280 ns
E
止
4.2 7.0 mJ
t
d(在)
60 ns
t
ri
60 ns
E
在
4.8 mJ
t
d(止)
190 ns
t
fi
260 ns
E
止
6.7 mJ
R
thJC
0.26 k/w
R
thCK
0.15 k/w
维度 Millimeter 英寸
最小值 最大值 最小值 最大值
一个 4.83 5.21 .190 .205
一个
1
2.29 2.54 .090 .100
一个
2
1.91 2.16 .075 .085
b 1.14 1.40 .045 .055
b
1
1.91 2.13 .075 .084
b
2
2.92 3.12 .115 .123
C 0.61 0.80 .024 .031
D 20.80 21.34 .819 .840
E 15.75 16.13 .620 .635
e 5.45 bsc .215 bsc
L 19.81 20.32 .780 .800
L1 3.81 4.32 .150 .170
Q 5.59 6.20 .220 0.244
R 4.32 4.83 .170 .190
terminals: 1 -门
2 - 流 (集电级)
3 - 源 (发射级)
4 - 流 (集电级)
加 247
TM
外形
ixsk 80n60b
ixsx 80n60b
至-264 aa 外形
Millimeter 英寸
最小值 最大值 最小值 最大值
一个 4.82 5.13 .190 .202
A1 2.54 2.89 .100 .114
A2 2.00 2.10 .079 .083
b 1.12 1.42 .044 .056
b1 2.39 2.69 .094 .106
b2 2.90 3.09 .114 .122
c 0.53 0.83 .021 .033
D 25.91 26.16 1.020 1.030
E 19.81 19.96 .780 .786
e 5.46 bsc .215 bsc
J 0.00 0.25 .000 .010
K 0.00 0.25 .000 .010
L 20.32 20.83 .800 .820
L1 2.29 2.59 .090 .102
P 3.17 3.66 .125 .144
Q 6.07 6.27 .239 .247
Q1 8.38 8.69 .330 .342
R 3.81 4.32 .150 .170
R1 1.78 2.29 .070 .090
S 6.04 6.30 .238 .248
T 1.57 1.83 .062 .072
维度
inductive 加载, t
J
= 25
°°
°°
°
C
I
C
= i
C90
, v
GE
= 15 v
V
CE
= 0.8 v
CES
, r
G
= r
止
= 2.7
Ω
remarks: 切换 时间
将 增加 为
V
CE
(clamp) > 0.8 • v
CES
,
高等级的 t
J
或者 增加 r
G
inductive 加载, t
J
=125
°°
°°
°
C
I
C
= i
C90
, v
GE
= 15 v
V
CE
= 0.8 v
CES
, r
G
= r
止
= 2.7
Ω
remarks: 切换 时间
将 增加 为
V
CE
(clamp) > 0.8 • v
CES
,
高等级的 t
J
或者 增加 r
G
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