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资料编号:103783
 
资料名称:81C56
 
文件大小: 86.12K
   
说明
 
介绍:
Radiation Hardened 256 x 8 CMOS RAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
5
specifications hs-81c55rh, hs-81c56rh
写 至 端口 输出 TWP 注释 1, 4 9, 10, 11 -55
o
C
T
一个
+125
o
C - 300 ns
端口 输入 建制 时间 TPR 注释 1, 4 9, 10, 11 -55
o
C
T
一个
+125
o
C50 - ns
端口 输入 支撑 时间 TRP 注释 1, 4 9, 10, 11 -55
o
C
T
一个
+125
o
C15 - ns
strobe 至 缓存区 全部 TSBF 注释 1, 4 9, 10, 11 -55
o
C
T
一个
+125
o
C - 300 ns
strobe 宽度 TSS 注释 1, 4 9, 10, 11 -55
o
C
T
一个
+125
o
C 150 - ns
读 至 缓存区 empty TRBE 注释 1, 4 9, 10, 11 -55
o
C
T
一个
+125
o
C - 300 ns
strobe 至 intr 止 TSI 注释 1, 4 9, 10, 11 -55
o
C
T
一个
+125
o
C - 300 ns
读 至 intr 止 TRDI 注释 1, 4 9, 10, 11 -55
o
C
T
一个
+125
o
C 360 ns
端口 建制 时间 至 strobe TPSS 注释 1, 4, 5 9, 10, 11 -55
o
C
T
一个
+125
o
C 100 - ns
邮递 支撑 时间 之后 strobe TPHS 注释 1, 4 9, 10, 11 -55
o
C
T
一个
+125
o
C 100 - ns
strobe 至 缓存区 empty TSBE 注释 1, 4 9, 10, 11 -55
o
C
T
一个
+125
o
C - 300 ns
写 至 缓存区 全部 TWBF 注释 1, 4 9, 10, 11 -55
o
C
T
一个
+125
o
C - 300 ns
写 至 intr 止 TWI 注释 1, 4 9, 10, 11 -55
o
C
T
一个
+125
o
C - 340 ns
计时器-在 至 计时器 输出 低 TTL 注释 1, 4 9, 10, 11 -55
o
C
T
一个
+125
o
C - 300 ns
计时器-在 至 计时器-输出 高 TTH 注释 1, 4 9, 10, 11 -55
o
C
T
一个
+125
o
C - 300 ns
数据 总线 使能 从 读 控制 TRDE 注释 1, 4 9, 10, 11 -55
o
C
T
一个
+125
o
C 120 - ns
计时器-在 低 时间 T1 注释 1, 4, 6 9, 10, 11 -55
o
C
T
一个
+125
o
C40 - ns
计时器-在 高 时间 T2 注释 1, 4 9, 10, 11 -55
o
C
T
一个
+125
o
C 115 - ns
注释:
1. 所有 设备 有保证的 在 worst 情况 限制 和 在 辐射.
2. 运行 供应 电流 (iddop) 是 均衡的 至 运行 频率.
3. 输出 timings 是 量过的 和 purely 电容的 加载.
4. 为 设计 目的 这 限制 是 给 作 显示. 为 兼容性 和 这 80c85rh 微处理器, 这 交流 参数 是 测试
作 maximums.
5. 参数 测试 作 部分 的 这 函数的 测试. 非 读 和 record 数据 有.
6. 在 低 温度, t1 是 量过的 向下 至 10ns. 如果 这 读 是 较少 比 10ns, 这 参数 将 读 10ns.
7. 读 和 record 数据 有 在 failing 数据 仅有的.
表格 3. 电的 效能 特性
参数 标识 情况 温度
限制
UNITSMIN 最大值
输入 电容 CIN vdd = 打开, f = 1mhz, 所有 度量
关联 至 设备 地面
T
一个
= +25
o
C - 10 pF
i/o 电容 ci/o vdd = 打开, f = 1mhz, 所有 度量
关联 至 设备 地面
T
一个
= +25
o
C - 12 pF
输出 电容 COUT vdd = 打开, f = 1mhz, 所有 度量
关联 至 设备 地面
T
一个
= +25
o
C - 10 pF
数据 总线 float 之后
TRDF vdd = 4.75v -55
o
c, +25
o
c,
+125
o
C
10 100 ns
恢复 时间 在
控制
TRV vdd = 4.75v -55
o
c, +25
o
c,
+125
o
C
- 220 ns
便条: 这 参数 列表 在 表格 3 是 控制 通过 设计 或者 处理 参数 和 是 不 直接地 测试. 这些 参数 是
典型 在之上 最初的 设计 释放 和 在之上 设计 改变 这个 将 影响 这些 特性.
表格 2. 交流 电的 效能 特性
(持续)
参数 标识 情况
组 一个
SUBGROUPS 温度
限制
UNITSMIN 最大值
规格 号码
518056
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